ASML dosáhlo důležitého milníku pro nasazení EUV

Společnost ASML vyvíjející litografické výrobní nástroje pro výrobu počítačových čipů prezentovala své nejnovější výsledky na obchodní show Semicon West v San Francisku. Ohlásila, že se jí podařilo dosáhnout dlouho unikajícího cíle, a sice vytvořit dostatečně silný zdroj extrémního ultrafialového záření, které je nezbytné pro výrobu čipů dalších generací, a to už od 7 nm, ale spíše 5 nm. A ty už od nás nejsou tak daleko. 

Původně se počítalo s tím, že EUV bude k dispozici už pro 45nm rozlišení, ale jak je dnes jasné, nebude k dispozici ani pro 10nm technologie a v podstatě ani nemusí být, neboť výrobci se obejdou bez něj. A počítá se s tím, že ani na 7nm nebude veškerý proces využívat EUV, pouze jeho kritické části, neboť tato technologie je velice problematická, a sice především s ohledem na zdroj záření. 

 

 

To totiž má mít vlnovou délku jen 13,5 nm a aktuálně se tvoří pomocí techniky LPP - Laser Produced Plasma. Ta využívá CO₂ laser, kterým se zasahují malinké kuličky cínu s průměrem jen asi 30 mikronů, čímž se tvoří ionizované plazma a z něj se zrcadly pokrytými molybdenem a křemíkem usměrňuje samotné EUV záření na jeho cíl. Není přitom možné použít čočky, neboť ty by toto záření pohlcovaly, přičemž ani ona zrcadla jej pochopitelně neodrazí v celé jeho původní intenzitě. 

 

Společnost ASML přitom už na oné obchodní show prezentoval 250W zdroj EUV zážení, který dokáže zajistit, aby dané výrobní zařízení mělo výkon produkovat 125 waferů za hodinu, což už plně stačí pro praktické nasazení. Ještě v roce 2012 byly přitom k dispozici zdroje EUV záření se sotva 25 W. 

 

To celé znamená, že firmy jako Intel, Samsung, TSMC a GlobalFoundries se už mohou těšit na nasazení EUV technologie, která má nastat ještě v tomto desetiletí. Ovšem bude to představovat obrovské investice, neboť každý EUV stroj od ASML přijde na 100 milionů, přičemž nejdříve po nich prý sáhnul Intel, který skoupí většinu z nejdříve dostupných 21 kusů. 

 

Zdroj: Hexus.net