Výzkumníci Tsinghua univerzity v Pekingu ve své práci zveřejněné v časopise Nature popsali tranzistor, jehož hradlo je tvořeno grafenem. Díky tomu jde o tranzistor s dosud nejtenčím hradlem, jaký byl kdy vyroben.
Diskuze k článku: Čínští výzkumníci vytvořili tranzistor s nejtenčím hradlem
14.3.2022, Jan Vítek, aktualita
presadiť nový typ tranzistoru do výroby je komplikovanejšie ako ho navrhnúť, každý výrobca je zvyknutý pri vývoji logických čipov rátať s presnými parametrami tranzistorov, tu by začínali úplne od začiatku, výhody rozmeru by zanikli pre náklady na samotný vývoj. TSMC stále radšej zmenšuje FinFET ako by zvažovalo jeho výmenu za iný typ, je to efektívnejšie , zmenšovanie za každú cenu i tak nič neprinesie , Intel to vie a radšej to stohuje nad seba ako sa trápiť pri výrobe.
Odpovědět0 0
Radši se zeptám. Ten tranzistor mají funkční nebo jenom na obrázku?
Odpovědět1 1
Sice není odkaz na zdroj a na stránkách nature o tom nic nevidím, ale pokud to vydali oni, tak určitě nepůjde jen o neověřený nápad. Plus "mít" jeden tranzistor naprosto nic neznamená. Absolutně nic to nevypovídá o možnosti vytvořit z toho čip, natož ho hromadně vyrábět, natož jakou by to mělo maximální frekvenci atd. Ale je to zajímavý výzkum.
Odpovědět0 0
Nemělo by na tom být nic těžkého, pokud dokáží nanést vrstvu uhlíku o tloušťce jednoho atomu,
postup výroby všech vrstev na procesorech je v zásadě stejný,
na wafer se "vyleje" nějaká hmota, nechá se "zaschnout" a EUV stroje pak pomocí různých masek tvarují tranzistory tak že odstraňují okolní nepotřebný materiál a pak se celý proces opakuje s dalším materiálem který celý wafer znovu překryje a odstraňuje se jen materiál v okolí tranzistoru
Limitem může pak být jen šířka toho UV (EUV) které bude limitovat hustotu tranzistorů
Tato technologie by mohla být velice zajímavá zejména v případě tranzistorů typu Nanowire / Nanosheet
TSMC a vlastně i Intel nám ukazuje už v praxi že dokáží s 3D vrstvením čipů pracovat, ale to jsou čipy a toto by se aplikovalo doslova na vrstvení tranzistorů
IMHO: zde tedy vidím skutečně asi největší potenciál v pokroku za posledních cca 40 let, kdy se tranzistor jen různě tvaroval a zmenšoval,
Za použití Nanowire technologie by se už nemuselo tolik dbát na zmenšování tranzistorů, které by se v podstatě mohlo klidně zastavit a začalo by se pracovat na vrstvení, podobně jako u paměťových čipů (buněk) a vlastně i ty by se mohly výrazně zmenšit a naskládat na sebe tisíce vrstev, když už teď je v planu třeba 200 a víc vrstev
postup výroby všech vrstev na procesorech je v zásadě stejný,
na wafer se "vyleje" nějaká hmota, nechá se "zaschnout" a EUV stroje pak pomocí různých masek tvarují tranzistory tak že odstraňují okolní nepotřebný materiál a pak se celý proces opakuje s dalším materiálem který celý wafer znovu překryje a odstraňuje se jen materiál v okolí tranzistoru
Limitem může pak být jen šířka toho UV (EUV) které bude limitovat hustotu tranzistorů
Tato technologie by mohla být velice zajímavá zejména v případě tranzistorů typu Nanowire / Nanosheet
TSMC a vlastně i Intel nám ukazuje už v praxi že dokáží s 3D vrstvením čipů pracovat, ale to jsou čipy a toto by se aplikovalo doslova na vrstvení tranzistorů
IMHO: zde tedy vidím skutečně asi největší potenciál v pokroku za posledních cca 40 let, kdy se tranzistor jen různě tvaroval a zmenšoval,
Za použití Nanowire technologie by se už nemuselo tolik dbát na zmenšování tranzistorů, které by se v podstatě mohlo klidně zastavit a začalo by se pracovat na vrstvení, podobně jako u paměťových čipů (buněk) a vlastně i ty by se mohly výrazně zmenšit a naskládat na sebe tisíce vrstev, když už teď je v planu třeba 200 a víc vrstev
Odpovědět0 0
Zajímá Vás tato diskuze? Začněte ji sledovat a když přibude nový komentář, pošleme Vám e-mail.
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
