ESRAM - čtyřikrát "hustší" paměti
6.12.2001, Petr Klabazňa, článek
Po různých obměnách pamětí na FeRAM, MRAM, Polymer RAM ... zde máme opět návrat ke klasickým SRAM pamětem, ale s jistým vylepšením...
Po různých obměnách pamětí na FeRAM, MRAM, Polymer RAM ... zde máme opět návrat ke klasickým SRAM pamětem, ale s jistým vylepšením (podrobnější info o zmiňovaných pamětech FeRAM, MRAM, Polymer RAM se můžete dočíst v samostatném článku věnovaném problematice budoucnosti pamětí).
Enhanced Memory Systems (dceřinná společnost Ramtron International Corp) a Cypress Semiconductor ve svém oznámení tvrdí, že mají highest-density SRAM produkty (paměti s největší hustotou) na světě. Jejich 72-Mbit NoBL (no bus latency) rodina SRAM dosahuje přenosové rychlosti 2.5 GB/s. Tyto čipy jsou tedy primárně určeny pro síťovou komunikaci (switche a routery).
Tyto nové jednotky využívají Enhanced Memory Systems technologii - jednotranzistorové Enhanced SRAM (ESRAM) paměti. Při zachování obdobné rychlosti dosahuje nová technologie 4 krát větší hustoty a zároveň má čtyřnásobně menší nároky na příkon (vše ve srovnání s tradiční šestitranzistorovou SRAM).
Organizace 72-Mbit NoBL burst SRAM je 2-Mbit x 36, čipy pracují s hodinovým taktem 166 MHz a jsou napájeny 2.5 V a nebo 3.3 V. Také provedení pouzdra je volitelné - TQFP a PBGA. Spotřeba je srovnatelná s čipy 18-Mbit SRAM. Vzorky pamětí jsou naplánovány na leden 2002 a sériová výroba by se mohla rozjet v druhém kvartálu příštího roku.
Zdroj ABT
Enhanced Memory Systems (dceřinná společnost Ramtron International Corp) a Cypress Semiconductor ve svém oznámení tvrdí, že mají highest-density SRAM produkty (paměti s největší hustotou) na světě. Jejich 72-Mbit NoBL (no bus latency) rodina SRAM dosahuje přenosové rychlosti 2.5 GB/s. Tyto čipy jsou tedy primárně určeny pro síťovou komunikaci (switche a routery).
Tyto nové jednotky využívají Enhanced Memory Systems technologii - jednotranzistorové Enhanced SRAM (ESRAM) paměti. Při zachování obdobné rychlosti dosahuje nová technologie 4 krát větší hustoty a zároveň má čtyřnásobně menší nároky na příkon (vše ve srovnání s tradiční šestitranzistorovou SRAM).
Organizace 72-Mbit NoBL burst SRAM je 2-Mbit x 36, čipy pracují s hodinovým taktem 166 MHz a jsou napájeny 2.5 V a nebo 3.3 V. Také provedení pouzdra je volitelné - TQFP a PBGA. Spotřeba je srovnatelná s čipy 18-Mbit SRAM. Vzorky pamětí jsou naplánovány na leden 2002 a sériová výroba by se mohla rozjet v druhém kvartálu příštího roku.
Zdroj ABT
