MMC, aneb nová generace vysokorychlostních a vysokokapacitních úložných zařízení
Průkopnický objev na poli paměťových úložných zařízení, aneb MMC z Bath
Ukázka MRAM* magnetického paměťového čipu (MMC):
Vědci vytvořili inovační „spinotronické“ zařízení, které může určit směr vývoje příští generace výkonnějších a permanentně data uchovávajících paměťových čipů v počítačích. Fyzikové z univerzit Bath, Bristol a Leeds objevili způsob, jakým kontrolovat výplň magnetických polí v tenkých magnetických filmech, které mohou být využity k uložení informací.
Objev má významné konsekvence (důsledky) v IT průmyslu, jelikož dnešní technologie paměťových úložišť je limitována možnostmi pro budoucí vývoj. Hustota, tudíž i kapacita u pevných disků závisí na velikosti použitých magnetických částic, které již dnes dosahují horní meze. Mnohem rychlejší křemíkový čip založen na náhodném přístupu do paměti (RAM) ovšem po odpojení zdroje zjednodušeně ztratí uložené informace.
Klíčovým pokrokem posledního výzkumu byl vývoj využití vysoko-energických paprsků gáliových iontů k umělé kontrole směru magnetického pole v částech kobaltových filmů tenkých jen několik atomů.
Směr pole de facto odpovídá symbolům binární soustavě, čili nahoru, nebo dolů odpovídá 1, či 0. Analogicky k elektrickému obvodu zapnuto, vypnuto, což tvoří základ u dnešních elektronických paměťových úložišť.
Fyzikové dále demonstrovali, že směr magnetických polí může být „přečten“ změřením jejich elektrického odporu. A vše lze uskutečnit mnohem rychleji, než u systémů dnešních pevných disků. Magnetický stav může být přepínán (nahoru - dolů) krátkým pulzem elektrického proudu, čímž jsou splněny všechny požadavky na rychlou magnetickou paměťovou buňku.
S novou technologií počítače nikdy neztratí svou paměť, a to i při přerušení elektrické energie.
Profesor Simon Bending z fyzikální katedry University of Bath sdělil: „Výsledky jsou důležité, jak se předpokládá k novému odvětví vývoje vysoko kapacitních magnetických paměťových čipů, které neztratí informace při odpojení elektrického zdroje. Poprvé budou data zapisována a čtena velmi rychle pouze s využitím elektrického proudu.“
„Jsme obzvláště potěšeni, jak bylo řečeno v začátcích, že náš přístup nebude pravděpodobně fungovat, ale setrvali jsme a to se nám nyní rozhodně vyplatilo.“
*Jedním z dalších výzkumů předcházející problému trvalého ukládání dat s rychlými dobami přístupu jsou čipy magnetické paměti s náhodným přístupem (MRAM). Prototypy těchto zařízení již byly vyvinuty několika společnostmi, ovšem MRAM využívá „bludná“ (chybová) magnetická pole. Ty jsou generována dráty, které přenášejí vysoký elektrický proud k přepnutí stavu nahoru – dolů a to výrazně negativně ovlivňuje výslednou hustotu a kapacitu zařízení.
Pokud se opravdu začnou komerčně vyvíjet a vyrábět paměti nové generace, ať již se jedná o MRAM, či o objev v Bath, bude se jednat o skok vpřed, jelikož by se mohla mnohonásobně zvýšit nejen hustota dat, ale také i přístupová doba a rychlosti přenosu dat. Jasné ovšem je, že u koncových uživatelů se tyto paměti MMC (magnetic memory chips) neobjeví ještě nějaký ten rok…
Zdroj: Physorg
Ukázka MRAM* magnetického paměťového čipu (MMC):
Vědci vytvořili inovační „spinotronické“ zařízení, které může určit směr vývoje příští generace výkonnějších a permanentně data uchovávajících paměťových čipů v počítačích. Fyzikové z univerzit Bath, Bristol a Leeds objevili způsob, jakým kontrolovat výplň magnetických polí v tenkých magnetických filmech, které mohou být využity k uložení informací.
Objev má významné konsekvence (důsledky) v IT průmyslu, jelikož dnešní technologie paměťových úložišť je limitována možnostmi pro budoucí vývoj. Hustota, tudíž i kapacita u pevných disků závisí na velikosti použitých magnetických částic, které již dnes dosahují horní meze. Mnohem rychlejší křemíkový čip založen na náhodném přístupu do paměti (RAM) ovšem po odpojení zdroje zjednodušeně ztratí uložené informace.
Klíčovým pokrokem posledního výzkumu byl vývoj využití vysoko-energických paprsků gáliových iontů k umělé kontrole směru magnetického pole v částech kobaltových filmů tenkých jen několik atomů.
Směr pole de facto odpovídá symbolům binární soustavě, čili nahoru, nebo dolů odpovídá 1, či 0. Analogicky k elektrickému obvodu zapnuto, vypnuto, což tvoří základ u dnešních elektronických paměťových úložišť.
Fyzikové dále demonstrovali, že směr magnetických polí může být „přečten“ změřením jejich elektrického odporu. A vše lze uskutečnit mnohem rychleji, než u systémů dnešních pevných disků. Magnetický stav může být přepínán (nahoru - dolů) krátkým pulzem elektrického proudu, čímž jsou splněny všechny požadavky na rychlou magnetickou paměťovou buňku.
S novou technologií počítače nikdy neztratí svou paměť, a to i při přerušení elektrické energie.
Profesor Simon Bending z fyzikální katedry University of Bath sdělil: „Výsledky jsou důležité, jak se předpokládá k novému odvětví vývoje vysoko kapacitních magnetických paměťových čipů, které neztratí informace při odpojení elektrického zdroje. Poprvé budou data zapisována a čtena velmi rychle pouze s využitím elektrického proudu.“
„Jsme obzvláště potěšeni, jak bylo řečeno v začátcích, že náš přístup nebude pravděpodobně fungovat, ale setrvali jsme a to se nám nyní rozhodně vyplatilo.“
*Jedním z dalších výzkumů předcházející problému trvalého ukládání dat s rychlými dobami přístupu jsou čipy magnetické paměti s náhodným přístupem (MRAM). Prototypy těchto zařízení již byly vyvinuty několika společnostmi, ovšem MRAM využívá „bludná“ (chybová) magnetická pole. Ty jsou generována dráty, které přenášejí vysoký elektrický proud k přepnutí stavu nahoru – dolů a to výrazně negativně ovlivňuje výslednou hustotu a kapacitu zařízení.
Pokud se opravdu začnou komerčně vyvíjet a vyrábět paměti nové generace, ať již se jedná o MRAM, či o objev v Bath, bude se jednat o skok vpřed, jelikož by se mohla mnohonásobně zvýšit nejen hustota dat, ale také i přístupová doba a rychlosti přenosu dat. Jasné ovšem je, že u koncových uživatelů se tyto paměti MMC (magnetic memory chips) neobjeví ještě nějaký ten rok…
Zdroj: Physorg
