Na univerzitě v Southamptonu, UK vyvinuli inženýři metodu, pomocí které lze vytvořit bipolární tranzistory až dvakrát rychlejší, než jsou dnes a to s minimálním zvýšeným výrobních nákladů.
Ukázka tranzistoru:
Bipolární tranzistory jsou důležitou součástí polovodičových zařízení použitých u mobilních telefonů a všeobecně rádiových systémů, kvůli zapotřebí práce na vysokých rádiových frekvencích.
Podle profesora Petra Ashburna, který se ujal výzkumu v kolaboraci s STC Microelectronics se jeho týmu podařilo dosáhnout pomocí standardní křemíkové bipolární techniky s fluorovými implantáty pracovní frekvence bipolárního tranzistoru na hranici 40-60 GHz, ale po optimalizaci až k fT rekordu 110 GHz! (který je skoro dvakrát vyšší, než byl doposud).
Fluorové implantáty jsou použity k potlačení bórových difúzí v bázi tranzistoru, což v důsledku znamená, že dojde k zúžení šířky báze a elektrony tak mohou napříč bází putovat rychleji.
Profesor Ashburn a jeho tým věří, že je zde možnost, jak zredukovat bórové difúze o více než 50 procent. V současné době monitorují, jak se fluor chová a vypadá, kdekoliv u jiných materiálů, které taktéž umožní tuto difúzi.
„ Už jsme dosáhli světového rekordu“, komentuje profesor Ashburn. „ Právě jsme zlepšili výkonnost křemíku na úroveň, jež byla doposud možná pouze se slitinou křemíku a germania (SiGe)“.
Podrobná analýza a testy jsou k dispozici zde: ECS, univerzta Southampton, ale bohužel pouze pro zaregistrované uživatele.
Pokud se chcete dozvědět něco více o bipolárních tranzistorech, pak vám doporučuji anglický text http://amasci.com/amateur/transis.html (od historie po současnost), nebo přímo o jejich funkci v češtině na MFF, Karlova univerzita
Zdroj: Physorg
Ukázka tranzistoru:
Bipolární tranzistory jsou důležitou součástí polovodičových zařízení použitých u mobilních telefonů a všeobecně rádiových systémů, kvůli zapotřebí práce na vysokých rádiových frekvencích.
Podle profesora Petra Ashburna, který se ujal výzkumu v kolaboraci s STC Microelectronics se jeho týmu podařilo dosáhnout pomocí standardní křemíkové bipolární techniky s fluorovými implantáty pracovní frekvence bipolárního tranzistoru na hranici 40-60 GHz, ale po optimalizaci až k fT rekordu 110 GHz! (který je skoro dvakrát vyšší, než byl doposud).
Fluorové implantáty jsou použity k potlačení bórových difúzí v bázi tranzistoru, což v důsledku znamená, že dojde k zúžení šířky báze a elektrony tak mohou napříč bází putovat rychleji.
Profesor Ashburn a jeho tým věří, že je zde možnost, jak zredukovat bórové difúze o více než 50 procent. V současné době monitorují, jak se fluor chová a vypadá, kdekoliv u jiných materiálů, které taktéž umožní tuto difúzi.
„ Už jsme dosáhli světového rekordu“, komentuje profesor Ashburn. „ Právě jsme zlepšili výkonnost křemíku na úroveň, jež byla doposud možná pouze se slitinou křemíku a germania (SiGe)“.
Podrobná analýza a testy jsou k dispozici zde: ECS, univerzta Southampton, ale bohužel pouze pro zaregistrované uživatele.
Pokud se chcete dozvědět něco více o bipolárních tranzistorech, pak vám doporučuji anglický text http://amasci.com/amateur/transis.html (od historie po současnost), nebo přímo o jejich funkci v češtině na MFF, Karlova univerzita
Zdroj: Physorg
