Hynix počíná s výrobou 512MBit GDDR4 DRAM
5.12.2005, Jan Vítek, aktualita
Firma Hynix Semiconductor oznámila, že od 2. prosince jsou k mání nové paměťové čipy - 512MBitové GDDR4 DRAM - určené do grafického sektoru. V nejbližší době začne posílat vzorky renomovaným výrobcům grafických čipů a poté po Novém roce...
Firma Hynix Semiconductor oznámila, že od 2. prosince jsou k mání nové paměťové čipy - 512MBitové GDDR4 DRAM - určené do grafického sektoru. V nejbližší době začne posílat vzorky renomovaným výrobcům grafických čipů a poté po Novém roce odstartuje výroba ve velkém.
GDDR4 je již čtvrtou generací pamětí a dle výrobců se jejich rychlost blíží dvojnásobku GDDR3. 16Mx32 512Mbit GDDR4 tak dokáže protlačit až 11.6GB dat za sekundu. Ve chvostu Hynixu se zatím drží Samsung, jenž oznámil svoje rozhodnutí vyrábět GDDR4 čipy o velikosti 256Mbit, ovšem s masovou výrobou má začít až půl roku po Hynixu.
Zdroje: TheInquirer, DigiTimes
GDDR4 je již čtvrtou generací pamětí a dle výrobců se jejich rychlost blíží dvojnásobku GDDR3. 16Mx32 512Mbit GDDR4 tak dokáže protlačit až 11.6GB dat za sekundu. Ve chvostu Hynixu se zatím drží Samsung, jenž oznámil svoje rozhodnutí vyrábět GDDR4 čipy o velikosti 256Mbit, ovšem s masovou výrobou má začít až půl roku po Hynixu.
Zdroje: TheInquirer, DigiTimes
