IBM a Samsung chtějí šetřit místem na waferech, chystají vertikální VTFET

IBM a Samsung tak pracují na tranzistorech, které by se mohly uplatnit někdy v budoucnu a dle dostupných informací jde o celou novou výrobní architekturu, jež bude použita pro tvorbu čipů s tranzistory Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistors (VTFET). Cíl je tu zřejmý, a sice využít tranzistory zabírající na čipu menší plochu, což umožní dále zvyšovat tranzistorovou hustotu. Oproti čipu, který by se skládal z dnes již klasických FinFET, by čip s VTFET měl být asi dvakrát výkonnější při stejné spotřebě, anebo o 85 % efektivnější při stejném výkonu.

 

 

Jde tu tak o podobný přístup, jaký už před lety využili výrobci pevných disků, když začali využívat PMR, čili technologii kolmého zápisu, díky níž se do stop také vejde za sebe více magnetických bitů. 

 

 

V případě VFET je tu ale také ta výhoda, že tranzistory orientované vertikálně mohou být zvětšovány směrem, který nezvyšuje jejich celkové nároky na plochu, což znamená možnost jejich škálování dle potřeby. V podstatě není třeba se starat o to, jak šetřit místem, které zabere hradlo či kontakty tranzistoru a výrobci dostávají lepší možnosti jejich ladění dle potřeb spojených s napájením/spotřebou a přepínacím výkonem, aniž by museli dělat kompromisy s ohledem na rozměry. 

 

wafer s VTFET od firmy IBM

 

Udávaná čísla ohledně výkonu a spotřeby jsou ale velice působivá, ostatně 85% zvýšení efektivity lze porovnat třeba s přechodem mezi 7nm a 5nm procesem, který v tomto ohledu ovšem slibuje nanejvýš o 40 % lepší efektivitu.

 

Vertikálně orientované FET tak mohou dále posunout hranice toho, kam až lze zajít s tranzistorovou hustotou, ale otázka je, jak složitá bude jejich výroba s ohledem na horizontálně orientované FinFET či dokonce nové GAAFET. O tom se ale od IBM zatím nic nedozvíme a také zatím nepadlo ani slovo o tom, kdy by se asi tak VTFET mohly reálně dostat do výroby, což je otázka spíše pro Samsung.