IBM ukázalo 5nm tranzistory vytvořené technologií Nanosheet
5.6.2017, Jan Vítek, aktualita
Je dobře známo, že společnosti IBM, Samsung a GlobalFoundries spolupracují či spolupracovaly na tom, aby přinesly pokud možno první 5nm výrobní proces. Ten by mohl tvořit čipy o velikosti nehtu, na nichž by bylo uloženo na 30 miliard tranzistorů.
Takových 30 miliard tranzistorů v jednom čipu je skutečně impozantní počet, ale konec konců v dnešní době už rozhodně nepůsobí jako nedosažitelný. Však nová 12nm Tesla V100 generace Volta jich nese už 21 miliard, ale také jde o obrovský čip s plochou 815 milimetrů čtverečných, a to už je pořádně velký nehet. Čili tento údaj firmy IBM rozhodně nemůžeme pokládat za nadhodnocený a spíše je třeba řešit to, nakolik je 5nm výrobní proces reálný, jakou bude mít výtěžnost, a to právě v případě tak složitých čipů.
IBM zde o 5nm procesu mluví ve spojení s jistou technologií Nanosheet, která však ještě nebyla představena, a tak ještě pořádně nevíme, o co vůbec jde. Počkat si musíme na informace z letošní konference Symposia on VLSI Technology and Circuits, která se odehraje v japonském Kjótu. Ta ale startuje už dnes, takže moc dlouho čekat nemusíme. Mezitím si můžete ukrátit čekání pohledem na první fotografii, kde jsou vědci IBM v new-yorském komplexu SUNY Polytechnic Institute Colleges of Nanoscale Science and Engineering. Právě připravují wafery pro zkušební výrobu 5nm křemíkových tranzistorů právě pomocí technologie Nanosheet. Tyto wafery jsou již uloženy v jednotkách FOUP, čili Front Opening Unified Pod.
fotografie 5nm tranzistorů vytvořených v IBM Research Alliance
Firma nám ve svém tiskovém prohlášení prozradila, že tento nový proces je již založen na EUV litografii a na rozdíl od architektury FinFET, která se používá pro výrobu dnešních nejpokročilejších čipů, využívá "štosy křemíkových nanofólií (nanovrstev, nanodesek) pro konstrukci tranzistorů". Konečný rozdíl je především ten, že oproti 7nm tranzistorům FinFET vytvořených před dvěma lety v rámci testovacího provozu rovněž EUV litografií se s využitím 5nm technologie Nanosheet a EUV docílilo o polovinu vyššího počtu tranzistorů uložených na stejné ploše. Tyto tranzistory mají navíc daleko lepší elektrické vlastnosti, a to díky možnosti jemně ladit výrobní proces s ohledem na výkon a spotřebu jednotlivých okruhů v čipu. Stojí za tím také více než deset let výzkumu a investice miliard dolarů.
Nicolas Loubet z IBM Research drží wafer plný 5nm tranzistorů vyrobených pomocí technologie Nanosheet
Zatím nepadlo ani slovo o tom, kdy by se asi tak nový výrobní proces mohl dostat do praxe. Nedávno se ale právě Samsung, jeden z partnerů firmy IBM v jejím výzkumném snažení, pochlubil tím, že si už na příští rok chystá zkušební výrobu prvních čipů pomocí EUV. To ale bude ještě stále FinFET, ovšem pak v plánech najdeme na rok 2020 také zbrusu novou výrobní technologii pojmenovanou jako GAA - Gate All Around. A když se podíváme na strukturu tranzistorů, které byly dnes ukázány, vypadá to jako velice příhodné pojmenování právě pro ně. Křemík tak asi opravdu ještě zdaleka nekončí.
Zdroj: TZ IBM
IBM zde o 5nm procesu mluví ve spojení s jistou technologií Nanosheet, která však ještě nebyla představena, a tak ještě pořádně nevíme, o co vůbec jde. Počkat si musíme na informace z letošní konference Symposia on VLSI Technology and Circuits, která se odehraje v japonském Kjótu. Ta ale startuje už dnes, takže moc dlouho čekat nemusíme. Mezitím si můžete ukrátit čekání pohledem na první fotografii, kde jsou vědci IBM v new-yorském komplexu SUNY Polytechnic Institute Colleges of Nanoscale Science and Engineering. Právě připravují wafery pro zkušební výrobu 5nm křemíkových tranzistorů právě pomocí technologie Nanosheet. Tyto wafery jsou již uloženy v jednotkách FOUP, čili Front Opening Unified Pod.
fotografie 5nm tranzistorů vytvořených v IBM Research Alliance
Firma nám ve svém tiskovém prohlášení prozradila, že tento nový proces je již založen na EUV litografii a na rozdíl od architektury FinFET, která se používá pro výrobu dnešních nejpokročilejších čipů, využívá "štosy křemíkových nanofólií (nanovrstev, nanodesek) pro konstrukci tranzistorů". Konečný rozdíl je především ten, že oproti 7nm tranzistorům FinFET vytvořených před dvěma lety v rámci testovacího provozu rovněž EUV litografií se s využitím 5nm technologie Nanosheet a EUV docílilo o polovinu vyššího počtu tranzistorů uložených na stejné ploše. Tyto tranzistory mají navíc daleko lepší elektrické vlastnosti, a to díky možnosti jemně ladit výrobní proces s ohledem na výkon a spotřebu jednotlivých okruhů v čipu. Stojí za tím také více než deset let výzkumu a investice miliard dolarů.
Nicolas Loubet z IBM Research drží wafer plný 5nm tranzistorů vyrobených pomocí technologie Nanosheet
Zatím nepadlo ani slovo o tom, kdy by se asi tak nový výrobní proces mohl dostat do praxe. Nedávno se ale právě Samsung, jeden z partnerů firmy IBM v jejím výzkumném snažení, pochlubil tím, že si už na příští rok chystá zkušební výrobu prvních čipů pomocí EUV. To ale bude ještě stále FinFET, ovšem pak v plánech najdeme na rok 2020 také zbrusu novou výrobní technologii pojmenovanou jako GAA - Gate All Around. A když se podíváme na strukturu tranzistorů, které byly dnes ukázány, vypadá to jako velice příhodné pojmenování právě pro ně. Křemík tak asi opravdu ještě zdaleka nekončí.
Zdroj: TZ IBM
