No je vidět že vývoj dnešních polovodičů je téměř u konce,
Každé 2 roky zde byl skok o dvě "N" tedy asi 1nm za rok.... Ale konci roadmapy tam jsou jen 0.1nm skoky po 2 letech.
To bude bída. Konec časů kdy výrobní proces přinesl vyšší výkon.
Odpovědět0 0
Ano, i já si myslím, že vývoj bude směřovat k tranzistorům čnějícím jako věž do výšky. Což ovšem bude vyžadovat víc vrstev, víc cyklů skener/napařování/leptání, čili delší čas výroby. Plus počítám, že i jestli se ty skenery na patřičné úrovni povede vyvinout i někomu mimo ASML, tak narazí v kapacitě výroby na stejné problémy. Tj, že dodavatelé součástek jsou taktéž unikátní a mají oemezené výrobní kapacity.
Odpovědět1 0
Směřování tranzistorů do výšky a taky větší žravosti,
sice jednovrstvé GAAFET budou úspornější proti dnešním FinFet, ale jakmile se začnou vrstvit, tak se spotřeba bude násobit počtem vrstev,
možná pak dojde k nějakým optimalizacím na Nanosheet (podskupina GAAFET), ale i ty se budou už taky vrstvit
.... samozřejmě celý dodavatelský průmysl se bude muset zvětšit a přizpůsobit
Odpovědět0 0
Bude současně narůstat počet chyb. Plus problémy s chlazením. Nepočítal bych se stovkami vrstev, jako v nand čipech, ale pár nad sebou jich dřív nebo později bude. Minimálně se dají do dalšího patra beztrestně naházet části s menší spotřebou. Cache, nebo jako má Intel "malá jádra", případně základní grafika (holé zobrazovadlo) a podobně. Zase na druhou stranu, AMD toto z velké části už udělalo oddělením čipletu a komunikačního čipu...
Odpovědět0 0