Společenstvo 32 nanometrů
Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies AG a Samsung...
25.5.2007, Pavel Boček
Specifikace pamětí RLDRAM II
Byla oznámena nová specifikace pamětí nazvaná RLDRAM II, použitelná především v aplikacích vyžadujících rychlý přímý přístup a vysokou datovou propustností. Na specifikaci se spolupodílejí společnosti Micron Technology Inc. a Infineon Technologies AG.
15.5.2003, David Vrtal
Po DDR a Rambus přicházejí paměti RLDRAM?!?
Můžeme se těšit na novou ještě výkonnější technologii v oblasti pamětí? Předčí nové RLDRAM i vysokou propustnost pamětí Rambus? A nebo jsou RLDRAM jen šikovně nafouknutou mediální bublinou?
31.5.2001, Petr Klabazňa
Nové paměti BAT-RAM a Mobile-RAM
Zatímco se Rambus připravuje na soudní spory se společnostmi Micron a Hyundai v Německu, na poli paměťových modulů se připravují další technologie. Tentokrát je na řadě snaha o snížení spotřeby a napájecího napětí.
13.2.2001, Petr Klabazňa
FRAM - nová podoba paměťových čipů?
Vzájemná spolupráce mezi firmami Toshiba a Infineon na vývoji FRAM vytváří nové předpoklady pro budoucnost. Mezi stěžejní předpoklady úspěšného rozvoje je možné zařadit energetickou nenáročnost těchto paměťových čipů.
29.12.2000, Petr Klabazňa
Za USB rychlejší
Řadič C161U od Infineon Technologies umožní dosáhnout maximální rychlosti USB.
26.8.1999, Vít Zatloukal