Intel demonstroval čipy vyrobené 45nm procesem
26.1.2006, Jan Vítek, aktualita
Intel učinil další krůček k nevyhnutelnému konci pokračující miniaturizace křemíkových polovodičů, jehož čas dle momentálních odhadů nastane za 10 až 15 let, a představuje první funkční čipy SRAM (Static Random Access Memory) založené na...
Intel učinil další krůček k nevyhnutelnému konci pokračující miniaturizace křemíkových polovodičů, jehož čas dle momentálních odhadů nastane za 10 až 15 let, a představuje první funkční čipy SRAM (Static Random Access Memory) založené na 45nm výrobním procesu. Tato demonstrace přišla jen chvíli poté, co firma představila první procesory vyrobené 65nm technologií a demonstruje tak svůj náskok na poli výrobní technologie, jenž se jí nedá upřít.
Intel se samozřejmě nezastavuje a v jeho laboratořích již vznikají postupy, jak uplatnit ve výrobě ještě drobnější, 32nm výrobní procesy. Prozatimně vyrobené SRAM mají kapacitu 153Mb a obsahují 1 miliardu tranzistorů na destičce o obsahu 110mm2. Obsah jedné paměťové buňky je tak 0,346μm2 a to je téměř polovina obsahu buňky vyrobené 65nm procesem. Zatím ovšem nejsou známa další fakta, kromě typických obchodních sdělení, jako je například výrok vice prezidenta Intelu, Billa Holta, který prohlásil: "Naše 45nm technologie poskytne základ pro PC s vylepšeným výkonem za watt, který zvýší zážitky uživatelů."
Zdroj: TGDaily
Intel se samozřejmě nezastavuje a v jeho laboratořích již vznikají postupy, jak uplatnit ve výrobě ještě drobnější, 32nm výrobní procesy. Prozatimně vyrobené SRAM mají kapacitu 153Mb a obsahují 1 miliardu tranzistorů na destičce o obsahu 110mm2. Obsah jedné paměťové buňky je tak 0,346μm2 a to je téměř polovina obsahu buňky vyrobené 65nm procesem. Zatím ovšem nejsou známa další fakta, kromě typických obchodních sdělení, jako je například výrok vice prezidenta Intelu, Billa Holta, který prohlásil: "Naše 45nm technologie poskytne základ pro PC s vylepšeným výkonem za watt, který zvýší zážitky uživatelů."
Zdroj: TGDaily
