Intel promluvil o zpoždění 10nm procesu i o budoucích 14nm produktech
18.5.2018, Jan Vítek, aktualita
Intel se podělil o další detaily o svém zpožděném nástupu 10nm technologie, dle čehož je zřejmé, že ta 14nm ještě zdaleka nekončí a chystají se nové produkty. Zhostil se toho člověk nejpovolanější, a to firemní Chief Engineering Officer.
Dr. Murthy Renduchintala promluvil na JP Morgan 46th Annual Technology Conference o problémech, na které Intel narazil při vývoji 10nm technologie a co může nabídnout již 4. generace 14nm hardwaru. Nejde o generace procesorů Core, ale výrobní technologie, takže tu máme výhled na výrobní proces 14nm+++. To potvrzuje i jednu věc, a sice že strategie Process-Architecture-Optimization, která nahradila Tick-Tock, už také definitivně neplatí.
pila na rozřezání waferů
Renduchintala se předně pochlubil, že oproti první verzi 14nm procesu Intel dokázal celkový výkon navýšit o více než 70 procent díky různým provedeným modifikacím. Mluví tak o spokojenosti s dosavadní výrobní technologií, která má Intelu zajistit vedoucí pozici v příštích 12 až 18 měsících, v jejichž průběhu se bude pracovat na snížení nákladů a zvýšení výtěžnosti 10nm procesu.
Postupné vylepšování 14nm procesu rozhodně bylo vidět. V případě 14nm+ Intel použil o něco vyšší žebra tvořící jeho 3D tranzistory, díky čemuž ty mohly být na sebe více namačkány, a to umožnilo výrobu procesorů Kaby Lake s vyššími takty v porovnání se Skylake. Podobné to pak je s Coffee Lake a 14nm++ oproti Kaby Lake. Nicméně vylepšování stávajícího procesu má své meze a asi nelze očekávat, že produkty založené na 14nm+++ budou nějak výrazně lepší.
Tento již známý obrázek z prezentace slibuje, že 10nm proces bude mít oproti předchozímu asi 2,7násobnou hustotu tranzistorů, za čímž nestojí pouze vyšší rozlišení, ale také výrazné změny v provedení prvků. Intel mluví o technologii Hyper Scaling a ta se skládá ze dvou částí, a sice COAG (Contact Over Active Gate) a SingleDG (Single Dummy Gate). Díky COAG je vytvořen kontakt tranzistorové brány přímo na ní, kdežto před tím byl vedle ní, což šetří prostor. SingleDG představuje bránu, která není součástí tranzistoru a nachází se na okraji logické buňky, kterou izoluje od druhé. Nově se využívá jen jedna taková brána (tzv. dummy gate) namísto dvou, což opět výrazně šetří místo.
Co se týče 10nm produktů, Renduchintala už potvrdil očividné, a sice že první jsou již na trhu, ovšem jen v malém množství. Zmínil však jednu důležitou věc, a sice že onen cíl 2,7násobné hustoty tranzistorů platil na začátku roku 2014. Čili Intel tehdy srovnával s velice ranou verzí 14nm procesu, který byl od té doby notně vylepšen právě i s ohledem na hustotu tranzistorů, takže o 2,7násobku už se logicky nemůže mluvit a je také možné, že tento cíl samotný se změnil. Jiné číslo však nyní nepadlo.
Dr. Murthy Renduchintala tedy mluvil jasně. Výtěžnost 10nm procesu je aktuálně nízká a náklady velice vysoké. Proto se dočkáme jen omezeného množství spíše jednodušších 10nm čipů, než bude proces optimalizován a i nadále bude využíván 14nm proces. Jde o důsledek toho, že si Intel s novým procesem ukousl větší sousto, než byl schopen sežvýkat, jak se snažil ještě navýšit svůj náskok před ostatními společnostmi. Namísto toho jej spíš ztrácí, i když jeho aktuální proces samozřejmě je velice konkurenceschopný. I to je však příležitost především pro AMD, které se jí jistě bude pokoušet využít s pomocí 7nm procesů GlobalFoundries a TSMC.
Zdroj: Extremetech
