Intel testoval 512Mbit DDR2 SDRAM od společnosti Hynix
21.10.2003, Štěpán Mrázek, aktualita
Společnost Hynix oznámila, že jejich paměťové čipy 512Mbit DDR2 byly úspěšně testovány společností Intel na kompatibilitu s čipovou sadou Lindenhurst. Jedná se o 667 MHz DDR2 SDRAM čipy, které jsou vyráběny 110 nm procesem a pracují s napětím...
Společnost Hynix oznámila, že jejich paměťové čipy 512Mbit DDR2 byly úspěšně testovány společností Intel na kompatibilitu s čipovou sadou Lindenhurst. Jedná se o 667 MHz DDR2 SDRAM čipy, které jsou vyráběny 110 nm procesem a pracují s napětím 1,8V. Jejich sériová výroba začne počátkem příštího roku.
