Intel začne s výrobou Phase-Change RAM pamětí už tento rok

V září minulého roku jsme vás informovali o nových pamětech PRAM (resp. PCM - Phase-Change Memory). Intel chce dodat první vzorky těchto pamětí již v první polovině tohoto roku s tím, že výroba by měla započít už v jeho druhé polovině.



PRAM paměti by měly nahradit stávající flash paměti a něco málo si berou i z pamětí DRAM, které však patrně nahrazovat nebudou. Kombinují oba typy, mají non-volatilní charakteristiky flash pamětí (nemusí být pod stálým napětím a obnovováním, aby se zachovala data) a podstatně vyšší přenosové rychlosti a přístupové doby, které je zas přibližují DRAM pamětem.

S rychlostí to zas není tak horké, i když se o přesnějších číslech zatím nemluvilo. Co se týče přístupových dob, tak flash paměti mívají obvykle kolem 50-90ns, PRAM paměti by se měly pohybovat kolem 20ns, což je podstatně lepší výsledek, nicméně stále velmi daleko od 3ns pamětí DDR2 DRAM.

Nevýhodou flash pamětí jsou omezené počty přepisovacích cyklů, které se pohybují v řádech desítek, maximálně stovek tisíců. PRAM paměť by měla vydržet 100 milionů přepsání a data by se měla zachovat po dobu 10 let.

Intel zatím demonstroval 128MBit čip vyrobený 90nm technologií. Jeho kapacita je sice zatím podstatně menší než je typická u flash pamětí, ale PRAM paměť jako taková umožňuje výrobu menších čipů s vyšší škálovatelností. Energetické nároky jsou zatím srovnatelné s pamětmi flash, u IBM však první prototypy vykazují asi poloviční spotřebu.

Zdroj: www.dailytech.com, www.geek.com