Micron brzy začne s výrobou 128vrstvých 3D NAND s architekturou RG

Micron společně s informacemi o vývoji během svého druhého fiskálního kvartálu roku 2020 prozradil, že v tom právě probíhajícím se chystá spustit výrobu 4. generace 3D NAND Flash, která bude mít již 128 vrstev a využije architekturu RG - Replacement Gate. 

 

 

Replacement Gate má u těchto pamětí nahradit technologii Floating Gate, kterou Micron společně s Intelem využíval dlouhé roky a to za účelem zmenšit celkovou rozlohu pamětí, a snížit tak náklady. RG má také nabídnout snadnější přechody na nové technologie, přičemž Micron si ji vyvinul sám bez přispění Intelu, což znamená, že bude vyhovovat především jeho vlastním účelům a záměrům. Do toho mají spadat i mobilní a obecně spotřebitelské modely SSD. 

 

Pro Micron tak nájezd na RG znamená velký technologický krok s významem do budoucna, neboť RG se stane jádrem pro paměti Flash této firmy. Zajistit má především zmenšení velikosti čipů, a tím i snížení nákladů, dále zvýšení výkonu a také snadnější přechod na nové generace pamětí s více vrstvami. 

 

Micron se ale pochopitelně nechystá začít ihned vyrábět všechny své produkty založené na RG, takže investoři byli upozorněni, že letos nemají očekávat nijak významné snížení ceny za bit jako výsledek spuštění výroby nových pamětí. Firma se bude zatím ještě učit za pochodu a znatelné zlepšení slibuje až v dalším fiskálním roce (2021). Jenomže ten pro Micron začne už na konci září tohoto kalendářního roku a zhruba v tu dobu by už měly nové 128vrstvé NAND Flash 4. generace tvořit významný podíl v celkové produkci firmy. 

 

Zdroj: Anandtech