Moc marketingu jsem kolem IBM Cell neviděl. Je to "procesor" založený na masivním paralelizmu provádění operací. Průchodnost pro jednotlivé aplikaceje pak osmi až desetinásobkem toho na co jsme dnes zvyklí. Původní patent pochází z Japonska od SONY.
Odpovědět0 0
Dostupné jsou 512MB (2X256MB) a 1GB (2X512MB) Dual Channel DDR sady (http://www.geilusa.com/proddetail.asp?linenumber=24).
Odpovědět0 0
Pro přetaktování na platformě AMD dlouho nebylo a asi stále není na trhu nic lepšího než DFI. Mám doma DFI LanParty UT nF4 Ultra-D (4300Kč) tak nemluvím jen tak do větru. Původně jsem preferoval ASUS, ale pro soket 939 dlouho neměli nic pořádného na trhu (úzká spolupráce s INTELem). Chápu, že pokud ti přetaktování nic neříká a orientuješ se na low-end tak ti cena může připadat vysoká.
Odpovědět0 0
Jde o teplotu v oblasti stabilizátorů napájecího napětí (pasivní hliníkové chladiče poblíž procesoru).
Odpovědět0 0
Používám kombinaci pasivního chladiče chipsetu s větráčkem. Původní řešení výrobce se mi vzhledem poměrně vysokým otáčkám (a hluku) větráčku chladiče i teplotám nelíbilo. V klidu je telota chipsetu kolem 34 stupňů, CPU 31 stupňů a PWM IC 33 stupňů.
Odpovědět0 0
Omlovám se za nepozornost, je to CoolerMaster SAF-S12-E1.
Odpovědět0 0
Používám opravdu tichý větrák se sedmisty otáčkami za hodinu a externím napájením. Původní s tzv. regulací se mí zdál příliš hlučný - prakticky stále běžel na vysokých otáčkách i když byl zcela chladný. Vím, že by to chtělo opravdu kvalitní zdroj...
Odpovědět0 0
Největší zájem se dá očekávat u nadšenců a příznivce extrémních výkonů. Do této komunity jsou podobné výrobky směřovány. Je to hezký koníček - proč ne.
Odpovědět0 0
Poslední verzi s údajnou chybou nepoužívám. Mám 23.8.1.
Odpovědět0 0
Mám běžný z obchodu CABGE 0532SOBW. MaxTCase: 57.
Odpovědět0 0
Zdá se, že Twinx 4400C25 (obecně TCCD) si dobře rozumí s paměťovým řadičem v Pteronu 144. V tuto chvíli paměti jedou stabilně na 310MHz při 2,5-4-4-8-7-256, napětí DRAM 2,76V. BIOS 704-2BT. Opteron 310x9=2792MHz při 1,52V.
Odpovědět0 0
Osobně dávám přednost nastavení Blend. S tímto nastavením jsem zcela spokojen. Pokud si myslíte, že tak není ověřena stabilita celé sestavy tak Vám nemohu pomoci. To co tvrdíte o chybných výsledcích do projektu Prime už vůbec namá hlavu a patu. Projektu jsem se nikdy neúčastnil. Možná jediné doporučení: Přečtěte si manuál k Prime95 ještě jednou...
Odpovědět0 0
Používám pasivní chladič na chipsetu a rameno s větrákem Zalman jak je uvedeno v článku. Mohu jenom doporučit. Je to potichu a také to chladí - jak je vidět.
Odpovědět0 0
Chci se ještě vrátit k diskuzi o použití pamětí s vyšším napětím s platformou A64. Stále si myslím, že problém ve skutečnosti neexistuje:
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Odpovědět0 0
Každý solidní autor zveřejňuje na jaké sestavě testy prováděl. Je běžným standardem uvádět i modifikace použitého HW.
Odpovědět0 0
Asi myslíte G.SKILL 1Gb FF 2.5-4-4-8 (PC4800) DFI Special Dual Channel kit - stále se vyrábějí, ale cena opravdu vysoká. Mimochodem příště si představíme 1Gb G.Skill FC Series PC4400 (2.5-4-4-8) Dual Channel kit. Už jsou na cestě. Jsou skoro stejně dobré jako řada FF a dají se sehnat za velice rozumnou cenu.
Odpovědět0 0
Časování pro DDR400 se pohybuje od 2-2-2 do 2-3-3.
Odpovědět0 0
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Odpovědět0 0
Pokud jde o pravopis tak je to v pořádku: http://www.pravidla.cz/hledej.php?SID=d9e71f09f1161f9304130340f74d88ba&qr=vlys
Odpovědět0 0
V tuto chvíli jsem nikde nanašel zapojení tak mi došli faktické argumenty. Otevřel jsem na toto téma diskuzi na:
http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?t=74404
http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?t=74404
Odpovědět0 0
Nejsem si jistý zda si rozumíme. Chápu to tak, že AMD specifikuje max napětí na pinech rozhraní s RAM. Tato napětí podle mne jsou nižší než napájecí napětí paměti. Tedy při DRAM napětí např. 3,3V podle mě není na pinech rozhraní s procesorem 3,3V, ale napětí nižší.
Odpovědět0 0
Ještě mě napadá - je skutečně MEMVREF input voltage relative to VSS totožné s DRAM voltage? Nejsem si tím jistý.
Odpovědět0 0
Přiznám se, že vaší poznámce čí dotazu zcela nerozumím...
Odpovědět0 0
Doporučení výrobce samozřejmě nelze brát na lehkou váhu. Na druhou stranu jsem na OC forech, pokud si to uvědomuji, ještě nesetkal s nikym kdo takto A64 zničil. Máte takové informace?
Odpovědět0 0
Mimochodem - jaké Mushkiny to vlastně máš? Jsou to eXtreme Performance 1GB (2x512MB) XP4400 2.5-4-4?
Odpovědět0 0
Vyměnil jsem původní větrák za CoolerMaster SAF-S12-E1. Napájím ho externě - otvor ve stěně a silikonový tmel. Na obrázku je ještě původní - před modifikací. Teď jsem zcela spokojen i bez záruky. Je ticho a zdroj je stále studený. Regulace otáček u původního typu je spíš symbolická. Možno prohlédnout je např. zde: http://www.alzasoft.cz/DetailPage.asp?DPG=52640
Odpovědět0 0
Raději s tím vsázením moc nepospíchej a podívej se třeba sem: http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?t=67762
Odpovědět0 0
Je možné si ho zdarma stáhnout např. zde: http://www.ite.com.tw/software_download/software_download2.asp
Odpovědět0 0
Odhlučněný zdroj EUROCASE 500W
Odpovědět0 0
Opět se budu opakovat: Dostupné velikosti modulů: 256MB, 512MB, 1GB. To znamená, že můžeme použít např. 2x1GB nebo 4x1GB.
Odpovědět0 0
Pánové, globální trh nikdo nezastaví - ať se nám to líbí nebo ne.
Odpovědět0 0
Ještě mě napadají další argumenty: Cena a dostupnost 1GB modulů.
Odpovědět0 0
Jak jsem již uvedl: Velkou výhodou při přetaktování oproti vynikajícím Windbond UTT BH5 je u modulů osazených čipy Micron G možnost použití běžného napětí DRAM do 2,8V dostupného na základních deskách. Potřeba aktivního chlazení pamětí také nemusí být to pravé ořechové...
Odpovědět0 0
