Nové tranzistory vydrží Intelu až do roku 2010
27.11.2001, Petr Klabazňa, aktualita
Nová technologie výroby polovodičových prvků - tranzistorů - by měla Intelu vydržet až do roku 2010. Nová tranzistorová struktura je nazývána TeraHertz a využívá high-k dielectrics, epitaxial wafers a a real shocker - silicon-on-insulator...
Nová technologie výroby polovodičových prvků - tranzistorů - by měla Intelu vydržet až do roku 2010. Nová tranzistorová struktura je nazývána TeraHertz a využívá high-k dielectrics, epitaxial wafers a a real shocker - silicon-on-insulator (SOI) technologii.
