Přehled dění v oblasti hardware za duben 2007

Paměti DRAM

Pozor na vysokonapěťové DRAM moduly

Chipset nVidia nForce 680i SLI podporuje DDR2-1200 paměti. Aby DDR2 moduly běžely na takto vysokých frekvencích, je nutno používat velmi vysoké napětí kolem 2,3-2,4V. Zdá se, že to je na tuto technologii příliš a tak nVidia a EVGA varují před používáním modulů vyžadujících 2,4V, neboť ty to dlouhodobě nevydrží. Přestože vyšší napětí obvykle zaručuje také vyšší stabilitu, v tomto případě ji spíše snižuje a může dojít dokonce ke zničení modulu.


OCZ Reaper na 1150MHz i 800MHz

Paměti OCZ Reaper využívají chlazení pomocí heatpipe. Doposud byly vrcholem této řady moduly DDR2-1066, společnost OCZ však představila rychlejší DDR2-1150 (PC2-9200) moduly. Této frekvence dosahují s časováním CL5-5-5-18. Vyžadují dosti vysoké napětí 2,3V, výrobce zaručuje díky EVP stabilitu i při napětí 2,35V. K dispozici jsou jako 2GB (2×1GB) dual channel kit s doživotní zárukou. Rovněž byly představeny pomalejší moduly této řady, DDR2-800 s časováním CL4-4-4, příp. CL4-3-3-15.


OCZ Flex XLC na 1200MHz

Společnost OCZ se činí. Představila další vysoce výkonné moduly řady Flex XLC. Ty jsou vybaveny speciálním chladičem, díky němuž je možno použít vodní chlazení modulů. Paměti běží na 1200MHz s časováním CL5-5-5-18. K tomu vyžadují velmi vysoké napětí 2,35V. Dodávají se jako 2GB (2×1GB) dual channel kit a je na ně poskytována doživotní záruka.


Samsung vrství paměťové čipy DRAM

Vrstvení čipů se používá u pamětí flash, nově však také u DRAM pamětí. Díky technologii Through Silicon Via (TSV) byly vytvořeny navrstvením čtyř 512Mb DDR2 čipů 2Gb čipy, které by měly umožnit výrobu 4GB paměťových modulů. Společnost věří, že tato technologie najde své velké využití u DDR3 pamětí, zejména v oblasti úspory energie.


První DDR3 paměti od Buffalo

Buffalo DDR3-1066 (PC3-8500) jsou první představené DDR3 moduly. Běží na efektivní frekvenci 1066MHz, bohužel s dosti vysokým časováním CL7. Dle společnosti ale díky nejrůznějším vylepšením DDR3 modulů (např. 8-bitový pre-fetch) by ale měly být stejně rychlé nebo rychlejší než DDR2 na stejné frekvenci. Napětí činí 1,5V a díky technologií PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh) by měla spotřeba dále klesnout. 512MB modul má stát $315, 1GB pak $595. Zatím není jasné, kdy se moduly reálně objeví na pultech obchodů.