Přehled dění v oblasti hardware za květen 2009

Paměti DRAM, flash čipy

OCZ uvedlo Low-Voltage DDR2-1066 až DDR2-1200 paměti

Nové 4GB dual channel kity OCZ PC2-8500 Low-Voltage Blade Series a OCZ PC2-8500 Platinum Low Voltage Dual Channel pracují na frekvenci 1066, 1150 MHz nebo 1200 MHz s napětím 1,8 V. Obě série se od sebe liší chladičem, první používá chladiče Blade, druhá pak XTC Platinum. Díky EVP jsou moduly v záruce i při běhu s napětím 1,85 V. Časování všech verzí činí CL5-5-5-18. Cena byla stanovena na €64 za řadu XTC PLatinum a €75 za Blade.

Samsung má 30nm 32Gb NAND flash čipy

Nové 32GB moviNAND paměťové karty Samsung jsou složeny z osmi 32Gb čipů vyráběných nově 30nm technologií. Právě tato výrobní technologie umožnila zvýšit kapacitu čipů na dvojnásobek. Dosud byly nejpokrokovějšími výrobky 16Gb 40nm čipy. Novinky budou k dispozici jako moviNAND i v kapacitách 16 GB, 8 GB a 4 GB. Předpokládá se využití v netboocích, hudebních přehrávačích, paměťových kartách (např. SDHC) a také v SSD discích.

Rychlé DDR2 paměti GOODRAM

GOODRAM představil nové DDR2 paměti řady PRO, které jsou nabízeny s frekvencemi 1150 MHz nebo dokonce 1200 MHz, přičemž mají podporovat přetaktování až do 1400 MHz. Takový takt mají dosáhnout s napětím 2,4 V. Tyto novinky jsou k dispozici jako 2×1 GB dual channel kity a disponují latencemi CL5-5-5-15.

Micron začíná s výrobou grafických pamětí

Třetím největším výrobcem DRAM pamětí je společnost Micron. Ta nyní rozšiřuje nabídku svých produktů o grafické paměti. Micron by tak mohl snížit své ztráty, které za poslední kvartál dosáhly 751 milionů dolarů. Jako první by se měly ukázat DDR3 paměti vyráběné 50nm procesem s taktem 1,6 GHz. Micron doufá, že zaujme především nízká spotřeba daná napětím 1,35 V proti 1,8 V u GDDR3 pamětí. Výrobce by se chtěl věnovat i pamětem GDDR5.

Patriot uvedl paměťové kity DDR2 i DDR3

Pro Core i7 byly uvedeny nové kity pamětí DDR3-1600 s kapacitou 3 GB a pak DDR3-1333 s kapacitou 6 GB. Mají časování CL9-9-9-24 při napětí 1,65 V. Dále to jsou DDR3-1600 a DDR3-1333 dual channel kity s kapacitou 4 GB s napětím 1,8 V. Další dva kity jsou rovněž dual channel v celkové kapacitě 4 GB (2×2 GB), jde o DDR2-1066 s časováním CL7-7-7-20 a napětím 2,1 V a pak DDR2-800 moduly s časováním CL5-5-5-12 a napětím 1,9 V.

A-Data přichází se 4GB DDR2-800 moduly

Platforma Intel CULV bude moci využít nové paměťové moduly A-Data DDR2-800. Využívají osmivrstvé PCB a díky napětí 1,5 V až 1,8 V se mohou chlubit i nízkou spotřebou, tak žádanou u mobilních zařízení.