Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Přehled dění v oblasti hardware za listopad 2007

7.12.2007, Milan Šurkala, článek
Přehled dění v oblasti hardware za listopad 2007
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se za právě uplynulý měsíc listopad stalo.

Paměti DRAM



První vzorky GDDR5 pamětí jsou již dodávány: Qimonda a Hynix


GDDR5 paměťové čipy by měly nahradit starší GDDR3 a GDDR4 čipy, které například společnost Qimonda ani nezačala vyrábět. 512Mb čip dosahuje přenosové rychlosti 20 GB/s, což znamená efektivní frekvenci 5 GHz. Paměti využívají dvojí frekvence. Na poloviční jsou posílány příkazy a adresy, na plné rychlosti jsou pak čtena data. Výsledkem má být nižší šum a tím tedy i možnost pracovat s vyššími frekvencemi. Výhodou by měla být také nízká spotřeba daná například spořícími technologiemi, které dokáží snížit takt čipů až na 200 MHz. Poprvé je využijí nové grafické karty NVIDIA a AMD R700, což má nastat koncem roku 2008. Společnost Hynix dodává dokonce čipy s kapacitou 1 Gbit, rovněž o frekvenci 5 GHz.


OCZ ReaperX s lepším chlazením


Nové paměti ReaperX jsou pokračovatelé původních pamětí Reaper. Jedná se o DDR2-800 paměti s novým typem chlazení. Horní žebroví je nyní spojeno pomocí dvou heatpipe, z každé strany modulu jde jedna. Paměti podporují EPP (Enhanced Performance Profiles), při napětí 2,1 V dosahují časování CL4-4-3-15. K dispozici jsou v dual channel kitech po dvou 2GB modulech. Záruka je doživotní. Později se se stejným typem chlazení představily i paměti DDR2-1000 (CL5-5-5-18, 2,15 V, max. 2,2 V) a paměti DDR3-1333 (CL6-5-5-18, 1,85 V, max. 1,9 V). Nabízí se jako 2×1 GB a 2×2 GB dual-channel kity.


65nm 1Gbit čipy Elpidy


Skok z nynější 70nm výroby na 65nm výrobu patrně nepřinese tolik úspor při výrobě jako skok z 90nm výroby na 70nm. Výhodou však zůstává to, že lze použít stávající zařízení, náklady na přechod jsou tedy minimální. Nové 1Gbit čipy vyráběné 65nm metodou mohou být mírně levnější, výroba a dodávky vzorků začnou v prosinci letošního roku, masová výroba pak počátkem roku příštího.


Výrobci DRAM ve ztrátě, NAND paměti naopak přináší zisk


DRAM paměti jsou dnes neskutečně levné, což je velmi pozitivní pro zákazníky, méně tak již pro výrobce, kteří jsou ve ztrátě. Proto omezují výrobu, aby zvýšili cenu čipů. Růst cen se však očekává až počátkem příštího roku. Naproti tomu výroba flash NAND pamětí je zisková. Ovšem i zde se očekává, že zisky budou klesat s pozvolným přechodem do ztrát.


Další DDR3-2000 paměti, tentokrát od A-DATA


Vysoce výkonné DDR3 paměti představila nově i společnost A-DATA. Její moduly Vitesta DDR3-2000X nabízí efektivní frekvenci 2000 MHz při časování CL9-9-9-24. Měla by tak být první společností, jenž dodává 2000MHz moduly reálně na trh. Ke svému běhu vyžadují velmi vysoké napětí 2,05 - 2,15 V (připomeňme, že standardem je 1,5 V). Nabízí se jako 2×2 GB dual-channel kity.


8GB kit od OCZ


Společnost OCZ přichází na trh s neobvyklým kitem. Ten totiž obsahuje rovnou čtveřici 2GB modulů, celková kapacita tedy činí 8 GB. Jedná se o paměti DDR2-800 s časováním CL5-4-4-18. Pracovní napětí je stanoveno na 2,1 V, ale výrobce zaručuje bezproblémový provoz i na 2,2 V.
Autor: Milan Šurkala
Vystudoval doktorský program v oboru informatiky a programování se zaměřením na počítačovou grafiku. Nepřehlédněte jeho seriál Fotíme s Koalou o základech fotografování.