Přehled dění v oblasti hardware za prosinec 2007

Paměti DRAM

Výrobcům NAND flash pamětí rostou zisky

Flash paměti NAND přináší jejich výrobcům obrovské zisky. Společnost Samsung sice ztratila 5 % podílu, ale i tak je světovou jedničkou a její zisk v tomto odvětví činil 1,7 miliardy dolarů. Hynix zvýšil své zisky o 79,1 % na výsledných 806 milionů amerických dolarů, Micron o 75,5 % na 285,4 milionu a Intel o 47,9 % na celkových 132 milionů dolarů. Paměti NAND dále zlevňují, ale předpokládá se, že časem narazí na podobný problém jako dnes DRAM paměti, které způsobují výrobcům obrovské ztráty díky nadvýrobě.

GDDR5 paměti již na 6 GHz

Dnešní vzorky GDDR5 pamětí pracovaly maximálně na frekvenci 5 GHz, teď Samsung posunul hranici na 6 GHz, což je více než dvojnásobek toho, čeho jsou dnes schopny GDDR4 paměti. Při frekvenci 6 GHz a 32-bitovém zapojení nabízí přenosovou rychlost 24 GB/s a stačí jim k tomu napětí 1,5 V. Předpokládá se, že v roce 2010 již bude 50% high-end grafik vybaveno těmito pamětmi.

Nová řada pamětí Patriot Viper

Patriot uvedl širokou nabídku paměťových modulů Viper. Ty jsou vybaveny pokročilými chladiči z ACC (slitina mědi a hliníku). Chlazení má o 90 % lépe rozptylovat teplo a snížit teplotu čipů až o 20 %. K dispozici jsou DDR2-800 paměti (CL3-4-3-8, 2,3 V) v kapacitách DC kitů 2 GB a 4 GB, dále DDR2-1066 (CL5-5-5-15, 2,3 V), DDR2-1150 a DDR2-1200 paměti shodně s CL5-5-5-12 a 2,3 V. Poslední tři zmiňované skupiny jsou k mání pouze jako 2GB DC kity. Nabídka obsahuje i DDR3 paměti. Nabídka začíná u DDR3-1333 modulů (CL7-7-7-20, 1,7 V) v kapacitách dual channel kitů 2 GB i 4 GB. DDR3-1666 paměti využívají napětí 1,9 V, ale liší se časováním. 2GB DC kit nabízí hodnoty CL7-7-7-18, 4GB kit už má CL7-7-7-20. Posledními jsou DDR3-1866 moduly s časováním CL8-8-8-24 a napětím 1,9 V. Ceny nebyly v době uvedení známy.

TwinMOS uvedl DDR3-1333 paměti SO-DIMM

Přestože žádné mobilní procesory ještě s DDR3-1333 pamětmi neumí pracovat, společnost TwinMOS takové moduly uvedla. Měly by být nabízeny v kapacitách 512 MB a 1 GB. Pracovní napětí činí 1,5 V, čímž by měla být zajištěna poměrně příznivá spotřeba elektrické energie.

Micron vyrábí DDR2 paměti 68nm technologií

Nový proces zvaný 6F2 značí výrobu 68nm technologií, která má nahradit nynější 80nm výrobu. Čipy o kapacitě 1 Gb tak mají plochu 56 mm2. Společnost tím sníží náklady a hovoří se také o 20% snížení spotřeby. Masová produkce začne na začátku roku 2008, další čipy (např. DDR3) vyráběné touto technologií přijdou na trh až v druhé polovině roku 2008.

XMP moduly od OCZ: DDR3-1800

XMP (eXtreme Memory Profile) moduly jsou určené pro nové čipové sady Intelu, kde se očekává vysoký výkon a možnost přepínat se mezi více nastaveními časování pamětí. Paměti nabízí dvoje nastavení, CL8-8-8 a výkonnější CL7-7-7. Jsou k dispozici jako 1GB moduly, případně jako 2GB dual-channel kit. Vyžadují na DDR3 čipy velmi vysoké napětí 2,05 V, záruka je doživotní.

Samsung prodává GDDR2 čipy za 50 centů

Pouhých 50 centů místo obvyklého dolaru čtyřiceti chce Samsung za své 256Mbit GDDR2 čipy. Patrně se chce zbavit stávajících zásob, neboť nově příchozí grafické karty už budou přecházet na čipy novějších technologií. Konkurence se pochopitelně bouří, neboť ji Samsung nutí jít s cenou také dolů a tím snížit zisky, resp. ještě zvýšit ztrátu.

Walton Chaintech uvedl DDR3-2000 paměti

Jedná se o prozatím nejrychlejší DDR3 paměti na trhu. Při frekvenci 2,0 GHz nabízí časování CL9-8-8-24, což jsou vzhledem k taktům poměrně příznivá čísla. Oba paměťové moduly v kitu jsou spojeny k sobě přes veliký chladič, což bude patrně znemožňovat použití dalších paměťových modulů. Cena nebyla při uvedení zveřejněna.