Přehled dění v oblasti hardware za prosinec 2008

Paměti DRAM, flash čipy

XPG Plus paměti A-Data už i ve verzi DDR3-1800+

Nové paměti série XPG Plus se šestivrstvým PCB jsou nyní k dispozici i jako DDR3-1800+ moduly. Při frekvencí 1800 MHz mají časování CL8-8-8-24 a vyžadují napětí 1,65 - 1,85 V. Mají být nabízeny jakou dvoukanálové i tříkanálové kity s 1GB a 2GB moduly. Paměti prochází před prodejem důkladným testováním.

A-Data uvedla i moduly XPG série X2.0

Tzv. X Series byla obohacena o nové DDR3-2133 moduly. Vzhledem k velmi vysokým frekvencím ani nepřekvapí latence CL10-10-10-30. K dispozici budou jako dual-channel kity o kapacitách 2 GB a 4 GB, tak i jako tripple-channel kity s kapacitami 3 GB a 6 GB. Chlazení je zajištěno modulem s dvěma 50mm ventilátory, které při 3500 otáčkách za minutu produkují hluk 21,8 dB. Paměti využívají osmivrstvé PCB a je na ně poskytována doživotní záruka.

Levnější XPG paměti A-Data

Po DDR3-2133 pamětech byly představeny i mnohem levnější a méně výkonné moduly série XPG. Nejsilnější z nich budou DDR3-1600G paměti s časováním CL9-9-9-24 a napětím 1,65 V - 1,85 V. Dále to budou DDR3-1333G s časováním CL8-8-8-24 a tímtéž napětím. Všechny tyto paměti budou k dispozici v 1GB a 2 GB modulech, a to samostatně i v dual a tripple channel kitech.
Nabídka byla rozšířena i u DDR2 pamětí. Konkrétně jde o DDR2-1066 paměti s časováním CL 6-6-6-18 a DDR2-800G s časováním CL5-5-5-12. Všechny vyžadují napětí 1,9 V - 2,1 V a jsou dodávány v 1GB a 2GB modulech zvlášť nebo dual-channel kitech.

Výkonné moduly G.Skill

Série pamětí PI Black je nově k dispozici ve tříkanálových kitech o celkové kapacitě 3 GB nebo 6 GB. Paměti jsou optimalizovány pro čipovou sadu Intel X58. K dispozici jsou moduly DDR3-1600 s časováním CL8-8-8-21 a DDR3-2000 s časováním CL9-9-9-24. Paměti vyžadují napětí 1,65 V.

Kingston HyperX DDR3 So-DIMM moduly s nízkou latencí

Pro nové notebooky připravila společnost Kingston nové paměťové moduly řady HyperX. Jedná se o DDR3-1066 paměti, které budou dodávány ve dvoukanálovém kitu o kapacitě 2×2 GB. S napětím 1,5 V a efektivní frekvencí 1066 MHz zvládnout časování CL5-5-5-15. Cena byla stanovena na $228 a záruka je doživotní.

Elpida dokončila vývoj 50nm 2Gb čipů

Zejména pro mobilní zařízení se hodí nové 2Gb RAM čipy společnosti Elpida, které jsou vyráběny 50nm procesem. Oproti 70nm čipům spotřebují přibližně polovinu pro udržení informace i při aktivitě. Při stejné spotřebě tak lze snadno zdvojnásobit paměť. Splňují standardy JEDEC, které hovoří o napětí 1,8 V, nicméně čipy jsou schopny pracovat i s napětím 1,2 V. Tyto DDR paměti pracují na efektivní frekvenci 400 MHz.

OCZ také chladí vodou, paměti Flex EX

Série pamětí Plex EX má velký chladič, který umožňuje nejen chlazení vzduchem, ale i vodou. K dispozici budou nové paměti DDR2-800 s časováním CL4-4-3-15 a napětím 2,1 V a DDR2-1200 s časováním CL6-6-6-18 a napětím 2,2 V. Co se týče DDR3 pamětí, objeví se paměti DDR3-1600 s časováním CL7-6-6-24 a napětím 1,9 V a pak DDR3-2000, které mají časování CL8-8-8-30 a napětím 2,0 V. Všechny jsou k dispozici jako 4GB (2×2GB) dual channel kity.

OCZ Blade pro procesory Core i7

Pro procesory Intel Core i7 a čipové sady Intel X58 Express jsou určeny nové paměťové moduly OCZ Blade. Jde o tříkanálový kit o celkové kapacitě 6 GB. Při efektivní frekvenci 2000 MHz potřebují napětí 1,65 V a zvládají časování CL7-8-7. To jsou vzhledem k taktu velmi dobré výsledky. Chlazení zajišťují hliníkové pasivy, záruka je doživotní.

IBM, AMD a Toshiba představily nejmenší paměťovou buňku SRAM

Pomocí 22nm technologie vyrobily společnosti AMD, IBM a Toshiba nejmenší paměťovou buňku SRAM na světě. Využívá FinFET tranzistory, HKMG (high-k / metal gate) materiál a zabírá pouze 0,128 mikrometru čtverečního. Pro srovnání, 32nm buňky Intelu mají plochu 0,171 čtverečního mikrometru.