Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008

Paměti DRAM

OCZ P45 Special paměti

Především pro chipset Intel P45 jsou určeny nové paměti společnosti OCZ. Jedná se o DDR2-800 paměti o opravdu vysokých kapacitách. Základem je OCZ PC2-6400 Vista Upgrade kit s kapacitou 8 GB (2×4GB moduly). Má časování CL 5-6-6-18 při napětí 1,8 V. Dále je zde OCZ PC2-6400 Gold s časováním CL 5-5-5-15 při napětí 1,8 V. Nabídku 8GB kitů uzavírá OCZ PC2-6400 Platinum s časováním CL 5-4-4-15 a taktéž napětím 1,8 V. OCZ PC2-6400 Vista Upgrade kit je rovněž k dispozici v konfiguraci 4×4 GB.

Elpida uvedla 2,5Gbps DDR3 čipy

Společnost Elpida uvedla první 1Gbit DDR3 čipy s přenosovou rychlostí 2,5 Gbps. Při tom i s touto přenosovou rychlostí jsou schopny pracovat se základním napětím 1,5 V. 1,8Gbps verze budou k dispozici i v low-voltage verzích, kterým bude stačit napětí 1,2 V a 1,35 V. K dispozici však budou i 667Mbps verze. Elpida použila měděné propojení v obvodech místo hliníkových. Výsledkem je o 25 % vyšší výkon a o 22 % nižší spotřeba.

A-Data má cenově přijatelné DDR3-1333 moduly

S příznivým poměrem ceny a výkonu chce společnost A-Data bojovat o zákazníky v segmentu DDR3-1333 pamětí se svými novými moduly s šestivrstvým PCB. Ty jsou nabízeny ve 2GB a 4GB dual-channel kitech s časování CL 9-9-9-24. S napětím 1,75 V však zvládly na desce Asus P5E3 Premium X48 časování CL 7-7-7-20.

IBM předvedla 22nm paměťovou buňku SRAM

V Albany ve státě New York má IBM své výzkumné zařízení, kde s pomocí 300mm waferů vyrobili první 22nm paměťovou buňku SRAM. Jediná buňka s šestitranzistorovým návrhem má plochu pouze 0,1 čtverečního mikrometru. Byla použita high-NA imerzní litografie.