Přehled dění v oblasti hardware za únor 2008

Paměti DRAM

První vzorky PCM pamětí se již objevují

Intel a STMicroelectronics se podílejí na vývoji a nyní i výrobě PCM (Phase-Change Memory) pamětí. Předpokládá se, že půjde o největší milník na poli pamětí za posledních 40 let. Kombinují vlastnosti DRAM (vysoká rychlost) a flash pamětí (nevyžadují napájení pro uchování informace). Vývoj začal v roce 2003, v roce 2004 pak byly představeny 180nm vzorky s kapacitou 8 Mbit a v roce 2006 už 90nm čipy s kapacitou 128 Mbit. Nově se přešlo z technologie SLC (single-level cell) na MLC (multi-level cell), což umožnilo snížit výrobní náklady a zvýšit hustotu záznamu.

OCZ uvedlo 4GB kit DDR2-1066 a DDR3-1333 Reaper HPC

Při dnešních cenách pamětí je 4GB standardem téměř každého výkonnějšího počítače. OCZ proto vedlo nové paměťové moduly DDR2-1066 řady Reaper HPC. Při této frekvenci nabízí časování CL5-5-5-18 a vyžadují napětí 2,1 V. Díky EVP jsou moduly schopné běžet i s napětím 2,15 V. Stejně tak se v sérii Reaper HPC představily i DDR3 moduly o frekvenci 1333 MHz. Ke svému provozu však potřebují zvýšené napětí 1,75 V, díky EVP ustojí bez ztráty záruky i 1,8 V. Časování má na DDR3 moduly a danou frekvenci velmi pěkné hodnoty CL6-6-6-18. Nabízí se jako 2GB i 4GB kity.

Rychlejší DDR2 a DDR3 moduly Corsair

Společnost Corsair uvedla na trh nové 4GB (2×2GB) dual channel kity DDR2 pamětí se zvýšenými frekvencemi. Jsou to DDR2-1066 (PC2-8500) a DDR2-1142 (PC2-9136) moduly. Řada DDR3 DHX modulů se pak dočkala nových pamětí s taktem 2000 MHz, přičemž podle Corsairu nemusí být tato frekvence ani zdaleka konečná. Zde se jedná o 2GB kity.