První 166 MHz 64 Mb DDR SDRAM od Hyundaie
22.7.1999, Petr Klabazňa, zpráva
![První 166 MHz 64 Mb DDR SDRAM od Hyundaie](navstevnost-a-redakce/1/img/website-800.jpg)
Paměťové moduly PC133 se pomalu stávají standartem a už je tu další kategorie.
Jednotliví výrobci paměťových čipů se vyloženě předhánějí o prvenství v rychlosti. Přednedávnem to byl právě Micron, který oznámil své zkušební vzorky vzniklé takřka horkou jehlou. I přes nově použitou výrobní technologii se toto oznámení stalo klíčové pro ostatní výrobce, kteří tak ještě zvýšily své úsilí.
Jako první přichází Hyundai Electronics, který oznamuje první 4 M x 16 166 MHz (333 Mbit/s) DDR (Double Data Rate) synchronní DRAM (SDRAM). S novými 64 Mb DDR jednotkami je otevřena cesta pro podporu rychlejších systémů a grafik. Oznámení 166 MHz jednotek následuje téměř bezprostředně po ohlášení 200MHz SDRAM letos v červnu.
Dosti podstatného zlepšení se dočkáme u grafických systémů, kde v současnosti je největší šířka sběrnice 128 bitů. Spolu s implementací nových 166 MHz DDR se otevře prostor pro vývojáře grafických karet. Především se jedná o významné zlepšení parametrů a nástrojů. Současné grafické systémy SDRAM poskytují šířku pásma pouze od 2.7 do 3.2 GB/s. Ale s použitím nových 166 MHz DDR SDRAM by se zvýšila šířka pásma přibližně na dvojnásobek, tedy až na 5.3 GB/s.
Hyundai Electronics použil pro výrobu 166 MHz DDR jednotek technologii 0.22 mikronů s optimalizací na operační napětí 3.3 V. Přičemž všechny vnější signály (vstupní i výstupní) jsou kompatibilní s interfacem SSTL-2. Paměti mají možnost odděleného hodinového kmitočtu, dále programovatelný CAS latency s nastavením 2.0/2.5/3.0 a programovatelný burst length 2/4/8. Nyní jsou k dispozici zkušební vzorky 4M x 16 166 MHz (s označením HY5DV651622TC-6) DDR SDRAM, nicméně plná produkce započne již letos v srpnu. Cenová relace je stanovena okolo přibližně na $14.00. Paměťové obvody HY5DV651622TC-6 budou vyrobeny s JEDEC standardem v 66 pinovém pouzdru TSOP.
Zdroj CoolInfo
Jako první přichází Hyundai Electronics, který oznamuje první 4 M x 16 166 MHz (333 Mbit/s) DDR (Double Data Rate) synchronní DRAM (SDRAM). S novými 64 Mb DDR jednotkami je otevřena cesta pro podporu rychlejších systémů a grafik. Oznámení 166 MHz jednotek následuje téměř bezprostředně po ohlášení 200MHz SDRAM letos v červnu.
Dosti podstatného zlepšení se dočkáme u grafických systémů, kde v současnosti je největší šířka sběrnice 128 bitů. Spolu s implementací nových 166 MHz DDR se otevře prostor pro vývojáře grafických karet. Především se jedná o významné zlepšení parametrů a nástrojů. Současné grafické systémy SDRAM poskytují šířku pásma pouze od 2.7 do 3.2 GB/s. Ale s použitím nových 166 MHz DDR SDRAM by se zvýšila šířka pásma přibližně na dvojnásobek, tedy až na 5.3 GB/s.
Hyundai Electronics použil pro výrobu 166 MHz DDR jednotek technologii 0.22 mikronů s optimalizací na operační napětí 3.3 V. Přičemž všechny vnější signály (vstupní i výstupní) jsou kompatibilní s interfacem SSTL-2. Paměti mají možnost odděleného hodinového kmitočtu, dále programovatelný CAS latency s nastavením 2.0/2.5/3.0 a programovatelný burst length 2/4/8. Nyní jsou k dispozici zkušební vzorky 4M x 16 166 MHz (s označením HY5DV651622TC-6) DDR SDRAM, nicméně plná produkce započne již letos v srpnu. Cenová relace je stanovena okolo přibližně na $14.00. Paměťové obvody HY5DV651622TC-6 budou vyrobeny s JEDEC standardem v 66 pinovém pouzdru TSOP.
Zdroj CoolInfo