První silicenové tranzistory slibují výrazně rychlejší počítače
4.2.2015, Jan Vítek, aktualita
Inženýrům z Univerzity v Texasu se podařilo vyrobit vůbec první silicenové tranzistory. Jedná se tak o podobný materiál jako grafen, čili velmi tenký materiál, který však není vyroben z uhlíku, ale z křemíku.
Pokusy s využitím materiálu z jedné vrstvy atomů nejsou nijak nové. Už známe využití uhlíku pro grafen, cín pro stanen a nyní se pracovníkům z Univerzity v Texasu podařilo vyrobit první funkční tranzistory ze silicénu, čili vrstvičky křemíku. Jedná se o první krok na cestě k výrazně rychlejším počítačům, a to díky pozoruhodně rychlému přepínání nových tranzistorů.
Silicén je tedy materiál vyrobený z jednoatomové vrstvičky křemíku, což má jako obvykle dopad ve velmi zajímavých vlastnostech takového materiálu. Silicen má podobné elektrické vlastnosti jako grafen, a to především to, že umožní elektronům pohyb téměř bez odporu. Výzkumníci ale v silicenu vidí potenciál především díky tomu, že křemík je dnes běžně používaný prvek ve výrobě počítačových čipů, čili elektronický průmysl by se mohl na výrobu čipů ze silicénu daleko lépe a levněji přizpůsobit, než kdyby se adaptoval na grafen.
Prozatím je ale výroba jednoatomové vrstvičky křemíku velmi složitá a výsledný materiál je zatím nestabilní, ovšem pokud bude zvládnuta, budoucí čipy by se měly odměnit vysokým výkonem, malými rozměry a také velmi vysokou efektivitou, čili poměrem výkonu a spotřeby. Zmíněnou nestabilitu se inženýři snaží vyřešit pomocí vytvoření silicenu na vrstvě stříbra pokrytého oxidem hlinitým. Výsledný materiál pak mohou vzít a umístit na wafer z oxidu křemičitého, a to vrstvou stříbra nahoru, takže silicen je uzavřen uvnitř. Wafer je pak opracován a vytvořeny jsou na něm výsledné tranzistory, ovšem výsledný čip zatím vydrží fungovat pouze ve vakuu. Tato metoda výroby silicénových tranzistorů tedy nemá vyhlídky na to, aby byla nasazena v průmyslu, takže se nyní hledají nové.
Zdroj: Hexus.net
Silicén je tedy materiál vyrobený z jednoatomové vrstvičky křemíku, což má jako obvykle dopad ve velmi zajímavých vlastnostech takového materiálu. Silicen má podobné elektrické vlastnosti jako grafen, a to především to, že umožní elektronům pohyb téměř bez odporu. Výzkumníci ale v silicenu vidí potenciál především díky tomu, že křemík je dnes běžně používaný prvek ve výrobě počítačových čipů, čili elektronický průmysl by se mohl na výrobu čipů ze silicénu daleko lépe a levněji přizpůsobit, než kdyby se adaptoval na grafen.
Prozatím je ale výroba jednoatomové vrstvičky křemíku velmi složitá a výsledný materiál je zatím nestabilní, ovšem pokud bude zvládnuta, budoucí čipy by se měly odměnit vysokým výkonem, malými rozměry a také velmi vysokou efektivitou, čili poměrem výkonu a spotřeby. Zmíněnou nestabilitu se inženýři snaží vyřešit pomocí vytvoření silicenu na vrstvě stříbra pokrytého oxidem hlinitým. Výsledný materiál pak mohou vzít a umístit na wafer z oxidu křemičitého, a to vrstvou stříbra nahoru, takže silicen je uzavřen uvnitř. Wafer je pak opracován a vytvořeny jsou na něm výsledné tranzistory, ovšem výsledný čip zatím vydrží fungovat pouze ve vakuu. Tato metoda výroby silicénových tranzistorů tedy nemá vyhlídky na to, aby byla nasazena v průmyslu, takže se nyní hledají nové.
Zdroj: Hexus.net
