Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Maximus II Formula vs. EP45 Extreme: souboj Titánů

22.9.2008, Jan Černý, recenze
Maximus II Formula vs. EP45 Extreme: souboj Titánů
Asus a Gigabyte - dva mocní výrobci, kteří spolu uzavřeli spolupráci, aby ji po 2 měsících ukončili. Začnou používat podobné technologie, ale s jinými jmény. Pak se začnou osočovat, ale před soudem se udobří. V duelu se podíváme na dva nabušené modely s P45.

Asus Extreme Tweaker


Složení a obsah BIOSu se oproti dříve recenzovanému modelu P5Q Deluxe nijak zásadně neliší. Veškeré tipy, triky a návody proto najdete v jeho recenzi.


Úvodní obrazovka po zapnutí počítače s deskou Asus Maximus II Formula


Rozhodněte se mezi ruční a automatickou volbou


První a pro výkon nejdůležitější ze tří částí nastavení časování pro paměti


Sekundární a terciální nastavení – tyto položky rozhodují nejvíce o stabilitě při přetaktování


Ai Clock Twister a Common Performance level (tRD) – konzervativní hodnoty jsou základem pro 500 MHz OC




A konečně se dostáváme k volbě napětí, velmi slušné možnosti, že?

Asus Maximus II Formula – BIOS verze 0802 (10/07/2008)
Časování pamětí
DRAM Timing Control (1st Information)
CL (CAS latency)
3 až 11 (po 1)
tRCD (RAS to CAS R/W Delay)
3 až 18 (po 1)
tRP (Row Precharge Time / Row to Row Delay)
3 až 18 (po 1)
tRAS (Timing of Row Address Strobe / RAS Activate to Precharge Time)
3 až 18 (po 1)
tRRD (Activate to Activate delay / RAS to RAS Delay)
1 až 15 (po 1)
tRFC (tRC / Refresh to Activate Delay / Row Refresh Cycle Time)
20 až 85 (po 1); 105; 132
tWR (Write to Precharge Delay / Write Recovery Time)
1 až 15 (po 1)
tRTP (Read to Precharge delay)
1 až 15 (po 1)
DRAM Timing Control (2nd Information)
tRTW (Read to Write Delay for all Ranks)
1 až 15 (po 1)
tWTR_S (Write to Read Delay - same Rank)
1 až 15 (po 1)
tWTR_D (Write to Read Delay - differents Ranks)
1 až 15 (po 1)
tRTR_S (Read to Read Delay - same Rank)
1 až 15 (po 1)
tRTR_D (Read to Read Delay - differents Ranks)
1 až 15 (po 1)
tWTW_S (Write to Write Delay - same Rank)
1 až 15 (po 1)
tWTW_D (Write to Write Delay - differents Ranks)
1 až 15 (po 1)
DRAM Timing Control (3rd Information)
tWTPD (Write to Precharge Delay / Write to PRE Delay)
1 až 31 (po 1)
tRTPD (Read to Precharge Delay / READ to PRE Delay)
1 až 15 (po 1)
tPTPD (Precharge to Precharge Delay / PRE to PRE Delay)
Auto, 1, 2, 3
tAPTAD (All Precharge to Activate Delay / ALL PRE to ACT Delay)
1 až 15 (po 1)
tAPTRD (All Precharge to Refresh Delay / ALL PRE to ACT Delay)
1 až 15 (po 1)
DRAM Static Read Control
Auto, Disabled, Enabled
Dram Read Training
Auto, Disabled, Enabled
MEM OC. Charger
Auto, Disabled, Enabled
Ai Clock Twister
Auto, Lighter, Light, Moderate, Strong, Stronger
Ai Transaction Booster
tRD (Common Performance Level / Static tRead Value / Performance Level / Read Delay)
1 až 31 (po 1)
Pull-In of CHA PH 1 až 4
Disabled, Enabled
Pull-In of CHB PH 1 až 4
Disabled, Enabled
Nastavení napětí
CPU Voltage
0,850 až 2,500 V (po 0,00625V krocích)
CPU GTL Voltage Reference (0)
-155 až +160 mV
CPU GTL Voltage Reference (1)
-155 až +160 mV
CPU GTL Voltage Reference (2)
-155 až +160 mV
CPU GTL Voltage Reference (3)
-155 až +160 mV
CPU PLL Voltage
1,50 až 3,0105 V (po 0,01325V krocích)
FSB Termination Voltage
1,20 až 2,001 V (po 0,01325V krocích)
DRAM Voltage
1,80 až 3,40325 V (po 0,01325V krocích)
DDR2 ChA Reference Voltage
-157,5 až +200 mV
DDR2 ChB Reference Voltage
-157,5 až +200 mV
NB Voltage (P45)
1,10 až 2,054 V (po 0,01325V krocích)
NB GTL Reference
-155 až +160 mV
NB DDR Reference
-157,5 až +200 mV
SB 1,5 Voltage (ICH10R)
1,50 až 2,05625 V (po 0,01325V krocích)
SB 1,1 Voltage (ICH10R)
1,10 až 2,001 V (po 0,01325V krocích)
PCIe SATA Voltage
1,50 až 1,80 V (po 0,1V krocích)
Load-Line Calibration (VDroop)
Auto; Enabled; Disabled
CPU Spread Spectrum
Auto ; Disabled
PCIe Spread Sprectrum
Auto; Disabled
CPU Clock Skew
Auto; 0 až 1400 ps (po 100ps krocích)
NB Clock Skew
Auto; 0 až 1400 ps (po 100ps krocích)
Nastavení frekvencí
FSB Frequency (MHz)
200 až 800 MHz (po 1MHz krocích)
PCI Express Frequency (MHz)
100 až 180 MHz (po 1MHz krocích)
FSB Strap to North Bridge
Auto, 200, 266, 333, 400 MHz
DRAM Frequency
Auto, 1:1, 5:6, 4:5, 3:4, 2:3, 5:8, 3:5, 1:2
CPU Clock Skew
0 až Delay 1500 ps (po 50 ps)
NB Clock Skew
0 až Delay 1500 ps (po 50 ps)
Dram CLK Skew on Channel A1, A2
Advance 350 až 0 až Delay 350 ps (po 50 ps)
Dram CLK Skew on Channel B1, B2
Advance 350 až 0 až Delay 350 ps (po 50 ps)
Ikona Odkaz na databáziIkona Odkaz na databázi
Přehled nejdůležitějších nastavení Asus


Gigabyte MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)


Složení a obsah BIOSu se oproti dříve recenzovanému modelu Gigabyte GA–EP45–DS3R nijak zásadně neliší. Veškeré tipy, triky a návody proto najdete v jeho recenzi.


Úvodní obrazovka po zapnutí počítače s deskou Gigabyte GA–EP45–Extreme




MB Inteligent Tweaker (M.I.T.) - > Advanced Clock Control




MB Inteligent Tweaker (M.I.T.) - > Advanced Timing Control


Přehled všech důležitých napětí

Gigabyte GA–EP45–Extreme – BIOS verze F6h (22/08/2008)
Časování pamětí
CL (CAS latency)
3, 4, 5, 6, 7
tRCD (RAS to CAS R/W Delay)
0 až 15 (po 1)
tRP (Row Precharge Time / Row to Row Delay)
0 až 15 (po 1)
tRAS (Timing of Row Address Strobe)
0 až 63 (po 1)
Advanced Timing Control
tRFC (Refresh to Activate Delay/Refresh Cycle Time)
0 až 255 (po 1)
tWR (Write to Precharge Delay/Write Recovery Time)
0 až 31 (po 1)
tWTR (Write to Read commad Delay/Write to Read Delay)
0 až 31 (po 1)
tRRD (Activate to Activate delay)
0 až 15 (po 1)
tRTP (Read to Precharge delay)
0 až 15 (po 1)
CMD (CR / Command Rate / Command per Clock)
0 až 3 (po 1)
Channel A / B (lze měnit nezávisle)
tRD (Static tRead Value / Performance Level / Read Delay)
0 až 15 (po 1)
tRD Phase0
Auto, 0-Normal, 1-Advanced
tRD Phase1
Auto, 0-Normal, 1-Advanced
tRD Phase2
Auto, 0-Normal, 1-Advanced
tRD Phase3
Auto, 0-Normal, 1-Advanced
Trd2rd (Direrent Rank)
0 až 15 (po 1)
Twr2wr (Diferent Rank)
0 až 15 (po 1)
Twr2rd (Diferent Rank)
0 až 15 (po 1)
Trd2wr (Same/Diff Rank)
0 až 15 (po 1)
Nastavení napětí
CPU Vcore
0,500 až 2,300 V
CPU Termination
1,000 až 1,800 V
CPU PLL
1,050 až 2,810 V
CPU Reference
0,536 až 1,086 V
MCH Core
0,850 až 1,800 V
MCH Reference
0,576 až 1,116 V
MCH/DRAM Reference
0,580 až 1,860 V
ICH I/O
1,050 až 2,310 V
DRAM Voltage
1,450 až 3,040 V
Dram Termination
0,710 až 1,405V
Channel A Reference
0,530 až 1,810 V
Channel B Reference
0,530 až 1,810 V
Nastavení frekvencí
CPU Host Frequency (MHz)
100 až 1200 MHz (po 1MHz krocích)
PCI Express Frequency (MHz)
60 až 150 MHz (po 1MHz krocích)
(G)MCH Frequency Latch (= FSB Strap)
Auto, 200, 266, 333, 400MHz
System Memory Multiplier (Stap 200MHz)
2,66, 3,33, 4,00
System Memory Multiplier (Stap 266MHz)
2,00, 2,50, 3,00, 4,00
System Memory Multiplier (Stap 333MHz)
2,00, 2,40, 3,20, 4,00
System Memory Multiplier (Stap 400MHz)
2,00, 2,66, 3,33
Přehled nejdůležitějších nastavení desky Gigabyte GA–EP45–Extreme


Přetaktování jedna báseň


Stejně jako v nedávné recenzi Gigabytu EP5–DS3R jsme měli problém s přetaktováním našeho redakčního procesoru E6750 ES. Je to způsobeno vlastnostmi této předprodukční série, a tak jsme použili náhradní procesor – Core 2 Extreme. Stabilní frekvence FSB kousek pod 500 MHz bez složitějšího ladění u obou desek – to lze považovat za úspěch.

Při ručním ladění všech napětí jsme se dostali mnohem dále, až přes 550 MHz. Tyto výsledky však nelze považovat za směrodatné, protože jsou silně závislé na zbytku komponent, jako je zdroj, paměti, revize jádra procesoru, BIOS a verze základní desky.


Asus Maximus II Formula a přetaktované Core 2 Duo E6750 Engineering Sample
- klikněte pro zvětšení -


Gigabyte GA–EP45–Extreme a přetaktované Core 2 Extreme X6800 Engineering Sample
- klikněte pro zvětšení -