Roadmap pamětí Samsung – DDR-II příští rok

Server The Inquirer je velice známý „šťoural“ a téměř každý den se na něm objeví nějaká důvěrná či tajná informace. O původu či důvěryhodnosti zdrojů se lze jen dohadovat, ale hlavní je, že informace jsou velice zajímavé a užitečné. Posledním „bonbónkem“, který si pro nás chlapíci z tohoto serveru připravili, je roadmap společnosti Samsung.

Zatímco v současnosti zvyšuje tento velký dodavatel pamětí produkci DDR333 (PC2700), hromadná výroba DDR400 (PC3200) začne v posledním čtvrtletí letošního roku. Nejdříve přijde Samsung se 128Mbit čipy napájenými 2,5V, ale v prvním čtvrtletí 2003 zaznamenají DDR400 přechod ke 256Mbit čipům. Ke konci roku se také objeví DDR333 s hustotou 1Gbit na čip.

Velkým želízkem v zatím nerozžehnutém ohni jsou paměti typu DDR-II, jejichž 512Mbit vzorky již Samsung dodává. Ve čtvrtém čtvrtletí společnost chystá spustit výrobu 1,8V pamětí DDR-II na frekvencích 667/533/400MHz, což je více než mají současné nejrychlejší RIMM (PC1066). Ve třetím čtvrtletí 2003 představí společnost nový čip „E-die“, který umožní x4, x8 a x16 s hustotou až 256Mbit.

V oblasti Rambus DRAM (RDRAM) bude Samsung také docela aktivní. Poslední plány ukazují vypuštěný 0,13mikronových čipů o hustotách 128Mbit, 256Mbit, 288Mbit a 576Mbit v roce 2003.

Příští rok budou také vypuštěny 221/166MHz SDRAM pro grafické karty postavené na novém typu čipu „G-die“. K nim ještě přibudou 800/400MHz GDDR SDRAM na 2,5 voltech a v druhé polovině roku také GDDR-II běžící na 1400/666Mbps o hustotách 256Mbit.

Poslední položkou na roadmap společnosti Samsung jsou Network DRAM I a II, kompatibilní s Toshiba Network FDRAM. Budou dodávány v prvním čtvrtletí příštího roku o rychlostech 666/533/400Mbps a rychlostech 20ns a 25ns.