Samsung 16Gb NAND Flash paměti v masové produkci
2.5.2007, Bohumil Federmann, aktualita
Soul Korea Newswire, ale také Samsung Electronics v uplynulých dnech na svých stránkách informovali, že přední výrobce elektronických prvků, Samsung Electronics, zaměstnávající celosvětově přibližně 138.000 lidí, zahájil novou 51nm technologií...
Soul Korea Newswire, ale také Samsung Electronics v uplynulých dnech na svých stránkách informovali, že přední výrobce elektronických prvků, Samsung Electronics, zaměstnávající celosvětově přibližně 138.000 lidí, zahájil novou 51nm technologií velkovýrobu 16Gb NAND čipů, což je v současné době nejmenší výrobní proces použitý při hromadné výrobě těchto pamětí.
Samsung 51nm NAND čipy tak mohou být nyní vyráběny o 60% efektivněji než pomocí 60nm technologie. Dále došlo ke zdvojnásobení 'stránek' na 4 kB při zachováni 4b podpory ECC.
Tento technologický krok následoval pouhých osm měsíců poté, co Samsung zahájil velkovýrobu 8 Gb NAND čipů 60nm MLC technologií. Dále se uvedené stránky věnují spíše ekonomické prezentaci a sponzorství Kdy přijde následující inovace, se zde zatím nedozvíme.
Zdroj: Koreanewswire, Samsung
Samsung 51nm NAND čipy tak mohou být nyní vyráběny o 60% efektivněji než pomocí 60nm technologie. Dále došlo ke zdvojnásobení 'stránek' na 4 kB při zachováni 4b podpory ECC.
Srovnávací tabulka | |||
| NAND Flash | Nový MLC (51 nm) | Aktuální MLC (60 nm) | SLC (60 nm) |
| Rychlost čtení | 30 MB/s | 17 MB/s | 33MB/s |
| Rychlost zápisu | 8 MB/s | 4,4 MB/s | 13MB/s |
MLC- multi-level cell technologie
Tento technologický krok následoval pouhých osm měsíců poté, co Samsung zahájil velkovýrobu 8 Gb NAND čipů 60nm MLC technologií. Dále se uvedené stránky věnují spíše ekonomické prezentaci a sponzorství Kdy přijde následující inovace, se zde zatím nedozvíme.
Zdroj: Koreanewswire, Samsung
