Samsung dokázal vyrobit první čipy 3nm technologií s tranzistory GAAFET

Tranzistory GAAFET už dobře známe jako další typ, který by měl nahradit dnes už rozšířené FinFET, s nimiž přišel jako první Intel v rámci svého 22nm procesu, přičemž v jeho případě šlo o technologii s konkrétním označením 3D Tri-gate. Vše podstatné přitom vysvětlí následující obrázek srovnávající klasické rovinné tranzistory s FinFET a GAAFET, čili Gate All Around FET. 

 

 

Tranzistory GAAFET jsme už také představili loni v samostatném článku, který se rovněž týkal Samsungu a jeho chystané 3nm technologie, která má GAAFET využít. Ještě tu jsou tedy tranzistory MBCFET a dá se říci, že uvedený snímek by odpovídal spíše jim než GAAFET. V principu ale mezi nimi není rozdíl, neboť GAAFET (Nanowire) mají jen užší kanály než MBCFET (NanoSheet), které je mají plošší, díky čemuž zasahují do větší plochy hradla. Tím se omezí především ztráty a naroste efektivita. 

 

Samsung se nyní pochlubil, že se mu povedlo vyrobit první 3nm čipy s tranzistory GAAFET, což je úspěch spojený právě s tímto novým typem, jehož konstrukce je evidentně složitější než v případě FinFET. Oproti 5nm procesu s FinFET můžeme očekávat při stejně složitém čipu o 35 % menší rozlohu a o polovinu nižší spotřebu, což umožní dosáhnout o třetinu vyššího výkonu. 

 

Od Samsungu jsme se přitom původně dozvěděli, že by chtěl využít tranzistory GAAFET již na 4nm procesu, a to právě v tomto roce. Ovšem analytici byli vůči tomu velice skeptičtí a Samuel Wang jako viceprezident Garneru očekával, že taková technologie nebude uvedena do běžného provozu před rokem 2022. Nedávno se ale Wang nechal slyšet, že by to výrobci nakonec mohli stihnout i dříve, přičemž v úvahu připadají nyní už pouze dva, a to Samsung a TSMC. Samotný Samsung minulý rok předpokládal, že jeho 3nm GAAFET proces bude použit od příštího roku. 

 

Zdroj: KME