Samsung má nová SSD s QLC paměťmi a další generaci Z-NAND

Z druhé generace pamětí Z-NAND mohou být nadšeni především profesionálové, kteří se mohou těšit na nové Z-SSD. Paměti Z-NAND, jak dobře víme, jsou prostě znovuzrozené NAND Flash s buňkami SLC, které tak ukládají pouze jeden bit. Díky tomu může být zvláště zápis velice rychlý a zpoždění při přístupu k pamětem velice krátké. 

 

 

Na straně druhé jsou tu paměti QLC, které nezapisují jen tři bity do buňky jako TLC, ale rovnou čtyři. Nemusí se tak v každé buňce rozeznávat pouze dvě úrovně náboje jako v SLC, ani osm jako v případě TLC, ale rovnou šestnáct. To bude mít své nevyhnutelné dopady především na rychlost zápisu a také spolehlivost spojenou se životností. Z těchto pamětí tak už nemůžeme být moc nadšeni, protože to vypadá na novou generaci SSD, jež sice nabídnout za stejnou cenu vyšší kapacitu, ale zase se budou více spoléhat na SLC cache a dlouhodobě udržitelný výkon půjde dolů. Takové jsou alespoň očekávání, ale co k tomu může říci samotný Samsung?

 

Nicméně tímto směrem se průmysl ubírá, však Intel i Micron už také mají své QLC paměti a brzy je bude mít na trhu také Samsung, a to pod značnou QVO. Samsung se navíc chystá také přejít na nové paměti V5, jež tak využijí hned 92 vrstev a to oproti V4 se 64 vrstvami a TLC buňkami znamená rovnou teoretické zdvojnásobení kapacity. V praxi si bude Samsung vyrábět 1Tb čipy, ale vedle toho také rychlejší 512Gb čipy, v jejichž případě uvádí, že ty budou mít o 37% kratší latence při čtení a o 45 % při zápisu než "konkurenční řešení". To nám moc neřekne. 1Tb čipy mají nabídnout propustnost až 1,4 Gb/s, což nám také moc neřekne.