Samsung navýší produkci pamětí DRAM na úkor Flash

Na trhu je aktuálně vysoká poptávka jak po pamětech DRAM, tak NAND Flash, kvůli čemuž je cena výsledných zařízení vysoká. Po obou typech pamětí se na trhu jen zapráší díky stále více oblíbeným chytrým telefonům, které využívají více a více paměti a v podstatě už tak ani moc nezaostávají za počítači. Samsung ale evidentně cítí, že více se mu budou hodit kapacity pro výrobu DRAM, a to na úkor starších typu 2D NAND Flash. 

 

 

Dle zdrojů z průmyslu tak Samsung už aktuálně má konvertovat část ze svých 16 linek v továrně Hwasung, která měsíčně produkuje 30 tisíc waferů s 2D paměťmi NAND. Nyní je tak již montováno příslušné vybavení a počátek výroby DRAM má začít v první čtvrtině příštího roku.  

Vedle toho je na výrobu DRAM upravováno také celé druhé patro továrny Pyeongtaek, kde se aktuálně tvoří příslušné prostory, kde je vyžadována vysoká čistota prostředí (tzv. cleanroom). Počet waferů, které zde budou každý měsíc zpracovávány, bude nakonec až 200 tisíc, takže jde o ještě daleko výraznější příspěvek k výrobní kapacitě. Samsung chce v prosinci objednat příslušné vybavení pro nové linky, takže v tomto případě začne výroba později, a to někdy v třetím kvartálu 2018. To bude představovat polovinu z plánované kapacity, čili 100 tisíc waferů.

 

Dnes má smysl nahrazovat výrobu 2D pamětí Flash paměťmi DRAM, protože stále více firem najíždí na výrobu 3D pamětí Flash, vedle nichž staré 2D neobstojí. Očekává se však, že někdy za rok bude celosvětová výrobní kapacita pamětí DRAM mnohem vyšší, a tak i ceny půjdou dolů, ovšem poptávka po 2D pamětech Flash ještě více klesne, a tak mají být pro výrobu DRAM nakonec zkonvertovány veškeré linky v továrně Hwasung pro využití 135 tisíc waferů měsíčně a k tomu se přidá zbylých 100 tisíc v továrně Pyeongtaek. Tento krok je zatím naplánován na rok 2019. 

 

V porovnání s celosvětovým měřítkem výroby jde o skutečně podstatný nárůst, však dle DRAMeXchange byla globální kapacita výroby na konci 3. letošního kvartálu 1,1 milionů waferů, na čemž se podílejí především firmy Samsung, SK Hynix a Micron poměrně vyrovnanými díly 370, 310 a 330 tisíc. Zvyšovat produkci DRAM navíc plánuje i SK Hynix, který už staví novou továrnu ve Wuxi s kapacitou 120 tisíc waferů a ta má vstoupit do provozu do konce příštího roku. 

 

Za tím vším je ale i jedna důležitá skutečnost, a sice hrozba ze strany Číny. Tamní Tsinghua Unigroup totiž plánuje v Nankingu investovat 30 miliard dolarů do továren pro produkci jak DRAM, tak NAND Flash a stavba nových kapacit je pro tradiční výrobce součást příprav, jak tomuto tlaku čelit. 

 

Zdroj: etnews