Samsung ohlásil 3. generaci pamětí HBM2E: 3,2 Gb/s nebo i víc

Nové paměti Samsung HBM2E "Flashbolt" nabízí kapacitu 16 Gb na čip, což představuje 16 GB na pouzdro, neboť se stejně jako v případě pamětí "Aquabolt" počítá s navrstvením osmi čipů do jednoho pouzdra. O těchto nových pamětech jsme si přitom už mohli přečíst minulý rok v březnu, kdy byla slíbena i jejich propustnost 3,2 Gb/s na pin, takže platí snad, že by nové HBM2E už pomalu mířily na trh? To se snad dozvíme z nové zprávy. 

 

 

Samsung hned na začátku své tiskovky uvádí, že nové HBM2E jsou určeny jednak pro superpočítače a AI systémy, ale také ty nejpokročilejší grafické karty. Očekávat bychom je tak mohli i v nových generacích produktů od AMD a NVIDIE, ovšem mezi herní modely se dostanou asi těžko, ale nepředbíhejme. 

 

Co všechno ale nové paměti představují a co nabídnou? Jak už bylo řečeno, skládají se z (až) osmi 16Gb čipů, a to tvořených procesem 10nm třídy (1y) a poskládaných na základovém bufferovém čipu. Jednotlivé vrstvy jsou pak propojeny jako obvykle pomocí vertikálních spojů TSV, jichž je celkem cca 40 tisíc a každý paměťový čip jich "provrtává" přes 5600. 

 

Přenosová rychlost 3,2 Gb/s na pin znamená, že při obvyklém počtu 1024 datových spojů na pouzdro docílíme propustnosti necelých 410 GB/s na pouzdro. V rámci těch nejvýkonnějších implementací se pak používají čtyři pouzdra, takže to nám dává cca 1640 GB/s maximální datové propustnosti. Jenomže Samsung ve své zprávě prozradil, že tyto paměti dle testů zvládnou dokonce i 4,2 Gb/s na pin, takže to je celkem 538 GB/s na pouzdro či 2152 GB/s na čtyři se 4096bitovým rozhraním. 

 

Samsung očekává, že během této poloviny roku už započne masová výroba Flashbolt, přičemž starší Aquabolt stále zůstanou v nabídce. Kdy a v jakých produktech nové paměti uvidíme, to se ze zprávy nedozvíme. Pokud by to ale firma NVIDIA či AMD měla stihnout v rámci letošních nových generací, šlo by jistě o časově velice napnutý plán. 

 

Zdroj: TZ Samsung via Videocardz