Samsung představil nový 8nm proces a s EUV chce začít v příštím roce

Samsung aktualizoval přehled svých plánovaných výrobních procesů, který vypadá velice impozantně, však je tu výhled na to, že tu do dvou let budeme mít dokonce i 3nm proces, ale na to pochopitelně nejde sázet. 

 

 

Začneme ale v tomto roce, do nějž přibyl nový výrobní proces 8LPU (8nm Low Power Ultimate). Ten je určen pro výrobu produktů s vysokým výkonem (takty) i vysokou tranzistorovou hustotou. Jde o vylepšený 10nm proces, který má nabídnout 10% zmenšení stejně složitých čipů a 10% snížení spotřeby, který je určen pro zákazníky bez zájmu o využití ještě podstatně lepšího 7nm procesu. 

 

 

V tom roce už je také v Samsungu aktuální 7nm proces FinFET, u nějž si přečteme také o EUV, ale co znamená ta červená barva? Jednoduše to, že nejde o technologii běžně nabízenou zákazníkům, ale spíše jen jakýsi testovací píseček, značící jednoduše to, že EUV ještě není opravdu připravena pro komerční nasazení. Toto testování probíhá mimochodem v továrně Fab S3 (Hwaseong, Jižní Korea).  

 

V příštím roce už by to ale mělo být jiné, ale opravu běžná produkce označovaná za HVM (High Volume Manufacturing) má nastat v roce 2020. Nicméně i tak chce Samsung nabídnout svým zákazníkům zkušební výrobu 5 a 4nm čipů už v příštím roce (risk production). 

 

A pak, v roce 2020, bude dle plánů připraven už rovnou 3nm proces, kde se využije vedle EUV také GAA. Tuto zkratku už jsme také měli šanci zaznamenat, a to ve spojení se společností IBM. 

 

 

Jde v podstatě o evoluci technologie FinFET, kde už brána neobklopuje kanál jen ze tří stran, ale celý kolem dokola. Pro rok 2020 ale také platí spíše to, že čipy s GAA tranzistory budou tvořeny experimentálně a přinejlepším pro velice omezenou výrobu. 

 

To vše ukazuje na velice ambiciózní plány firmy Samsung a vůbec bychom se nedivili, kdyby z nich firma musela slevit. Nicméně i to značí, že je Samsung s TSMC na dobré cestě skutečně výrazně předhonit Intel.

 

Zdroj: Anandtech