Samsung představuje 40nm výrobní proces pamětí DRAM
9.2.2009, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung představila svůj nejnovější výrobní proces pro paměťové čipy typu DRAM, jejž již může použít pro výrobu čipů DDR2. Kromě toho však samozřejmě bude jím moci vyrábět momentální nejlepší DDR3 a budoucí DDR4. Výhody pokročilejšího...
Společnost Samsung představila svůj nejnovější výrobní proces pro paměťové čipy typu DRAM, jejž již může použít pro výrobu čipů DDR2. Kromě toho však samozřejmě bude jím moci vyrábět momentální nejlepší DDR3 a budoucí DDR4.
Výhody pokročilejšího procesu jsou naprosto jasné a logické - nižší cena díky většímu počtu čipů na waferu, nižší spotřeba energie (dle firmy o 30 procent oproti 50 nm) a díky tomu i nižší zahřívání. První čip vyrobený 40nm technologií Samsungu je 1Gb DDR2 DRAM pro frekvenci 800 MHz. Ten již prošel validačním programem pro použití s mobilními čipovými sadami Intel GM45.
Produkce ve velkém se chystá také pro 2Gb čipy DDR3. Produktivita takovýchto čipů má oproti 50nm modelům vzrůst o celých 60 procent. A nakonec firma oznámila, že její nová technologie je významným krokem směrem k DDR4.
Zdroj: X-bit labs
Výhody pokročilejšího procesu jsou naprosto jasné a logické - nižší cena díky většímu počtu čipů na waferu, nižší spotřeba energie (dle firmy o 30 procent oproti 50 nm) a díky tomu i nižší zahřívání. První čip vyrobený 40nm technologií Samsungu je 1Gb DDR2 DRAM pro frekvenci 800 MHz. Ten již prošel validačním programem pro použití s mobilními čipovými sadami Intel GM45.
Produkce ve velkém se chystá také pro 2Gb čipy DDR3. Produktivita takovýchto čipů má oproti 50nm modelům vzrůst o celých 60 procent. A nakonec firma oznámila, že její nová technologie je významným krokem směrem k DDR4.
Zdroj: X-bit labs
