Samsung představuje nástupce NOR flash pamětí: PRAM
11.9.2006, Milan Šurkala, aktualita
Během příštího desetiletí by měly být flash paměti typu NOR nahrazeny novým typem pamětí vyvinutým společností Samsung. Paměť ponese jméno Phase-change Random Access Memory (neboli PRAM), druhou lidovou variantou názvu je trochu nadnesené...
Během příštího desetiletí by měly být flash paměti typu NOR nahrazeny novým typem pamětí vyvinutým společností Samsung. Paměť ponese jméno Phase-change Random Access Memory (neboli PRAM), druhou lidovou variantou názvu je trochu nadnesené označení Perfect RAM.
Tato paměť totiž kombinuje přenosové rychlosti typických DRAM pamětí a non-volatilní schopnosti flash pamětí, pod tímto rozumějte možnost uchování dat i bez stálého napájení, což je nevýhodou DRAM pamětí. Vysoká rychlost je dána zčásti tím, že při zápisu není třeba data nejprve smazat a až pak zapisovat. Celkem je dosaženo až 30x násobku rychlosti klasických flash pamětí.
Samsung rovněž slibuje asi 10x větší výdrž než u NOR pamětí. K dispozici by měly být někdy v průběhu roku 2008. Jedna paměťová buňka má asi poloviční velikost NOR flash paměti, její velikost činí 0,0467um2, čímž se stává nejmenší paměťovou buňkou na světě.
Navíc se jednotlivé paměťové buňky navzájem neruší, což zaručuje takřka neomezenou škálovatelnost paměti. Výroba PRAM paměti obsahuje o 20 procent kroků méně, využívají vertikální diody ve spojení s tří-dimenzionální strukturou tranzistoru. Dnes v Soulu byl představen první prototyp o kapacitě 512Mbit.
Zdroj: www.samsung.com
Tato paměť totiž kombinuje přenosové rychlosti typických DRAM pamětí a non-volatilní schopnosti flash pamětí, pod tímto rozumějte možnost uchování dat i bez stálého napájení, což je nevýhodou DRAM pamětí. Vysoká rychlost je dána zčásti tím, že při zápisu není třeba data nejprve smazat a až pak zapisovat. Celkem je dosaženo až 30x násobku rychlosti klasických flash pamětí.
Samsung rovněž slibuje asi 10x větší výdrž než u NOR pamětí. K dispozici by měly být někdy v průběhu roku 2008. Jedna paměťová buňka má asi poloviční velikost NOR flash paměti, její velikost činí 0,0467um2, čímž se stává nejmenší paměťovou buňkou na světě.
Navíc se jednotlivé paměťové buňky navzájem neruší, což zaručuje takřka neomezenou škálovatelnost paměti. Výroba PRAM paměti obsahuje o 20 procent kroků méně, využívají vertikální diody ve spojení s tří-dimenzionální strukturou tranzistoru. Dnes v Soulu byl představen první prototyp o kapacitě 512Mbit.
Zdroj: www.samsung.com
