Samsung představuje první 512 MB paměťový modul typu DDR3
22.2.2005, Petr Hájek, aktualita
Společnost Samsung Electronics se pochlubila s prvním prototypem Dynamic Random Access Memory (DRAM) modulu vyhovujícímu standardu GDDR3, který pracuje s napětím 1,5 V až do maximální rychlosti 1 066 MHz. Na trhu se pro použití v desktopech,...
Společnost Samsung Electronics se pochlubila s prvním prototypem Dynamic Random Access Memory (DRAM) modulu vyhovujícímu standardu GDDR3, který pracuje s napětím 1,5 V až do maximální rychlosti 1 066 MHz. Na trhu se pro použití v desktopech, serverech a noteboocích objeví počátkem roku 2006 (očekává se penetrace 65 % trhu v roce 2009). Paměti typu DDR3 jsou vyrobeny s pomocí 80 nm technologie, DDR a DDR2 SDRAM s 90 nm. Dodejme ještě, že Samsung je vůdčí osobností v DDR oblasti již od počátku technologie DDR, protože také jako první představil typy DDR DRAM (1998) a DDR2 DRAM (2001).
