Samsung prezentoval MRAM: nyní na ní lze provádět i výpočty

O pamětech typu MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) jsme už několikrát psali a např. ve spojitosti se společností Samsung to bylo počátkem roku 2019. Vývoj ale pokračuje dál a nyní zde máme nový prototyp, který umí zajímavé věci. Nejdříve si ale povězme, co to vlastně jsou paměti MRAM. Magnetorezistivní paměti jsou non-volatilním typem, k udržení informace tedy nevyžadují napětí podobně jako pevné disky nebo flash paměti v SSD a paměťových kartách. Zároveň zajišťují náhodný přístup a vysoký výkon, takže by mohly být jakousi RAM schopnou udržet svá data a nevyžadující neustálé obnovování dat.

 

 

Nový průlom Samsung spočívá v tom, že jeho MRAM nyní umožňují provádět na datech přímo výpočty (In-Memory Computing). Ta tak není potřeba přenášet z non-volatilní paměti do volatilních pamětí výpočetních jednotek procesoru, ale výpočty lze provádět rovnou na datech v paměti. Cílem je něco takového využít zejména pro zpracování systémů umělé inteligence, kdy se setře hranice mezi pamětí a výpočetní jednotkou. MRAM se tak připojuje k pamětem jako RRAM (Resistive Random Access Memory) a PRAM (Phase-change Random Access Memory), které výpočty na datech podporují. Samsungu se totiž povedlo překonat problém v malém odporu MRAM pamětí, který byl pro něco takového nevýhodou. Připomeňme, že MRAM ke čtení dat využívají právě měření odporu.

 

Samsung už vyzkoušel paměti na algoritmu neuronové sítě pro vyhodnocování ručně napsaných číslic s 98% úspěšností a rozpoznávání tváří s 93%. Připomeňme, že Samsung už komerčně nabízí Embedded MRAM (eMRAM) pro embedded systémy.

 

Zdroj: news.samsung.com