Samsung přichází s 2× rychlejšími eUFS 3.0 pamětmi
2.3.2019, Milan Šurkala, aktualita
Samsung opět posouvá možnosti eUFS pamětí o něco dále. Nyní uvádí 512GB čip použitelný např. v mobilních zařízeních, který slibuje mnohem vyšší přenosové než předchozí eUFS 2.1 modely. Těšit se lze na více než 2 GB/s.
Zejména mobilní zařízení budou moci už brzy využívat nových paměťových čipů společnosti Samsung, které slibují velmi vysoké přenosové rychlosti. Vnitřní paměť bývá mnohem rychlejší než paměťové karty a s novou generaci eUFS 3.0 čipů se výkony posouvají zase o něco dále. Přitom to bylo koncem letošního ledna, kdy Samsung představil 1TB čip s rychlostí čtení 1000 MB/s, zápisu 260 MB/s a náhodnými přenosy 58 tisíc IOPS u čtení a 50 tisíc IOPS u zápisu. Nyní, o měsíc později, tu máme 512GB uEFS 3.0 modul, jehož výkony jsou ještě o dost vyšší.
Využívá 5. generaci pamětí V-NAND. Nově je tak možné dosáhnout rychlosti 2100 MB/s u čtení (proti výše zmíněnému 1TB čipu +110 %) a 410 MB/s u zápisu (+58 %). Pokud jde o náhodné čtení, to se zvýšilo o 9 % na 63 tisíc IOPS, mnohem lepší je to ale u zápisu, kde došlo dokonce k 36% zvýšení na 68 tisíc IOPS. Tohle jsou hodnoty, kterými se ani nejlepší microSD karty se standardem A1 nemohou měřit, tam se hovoří o pouhých 500 IOPS, u běžných karet je to ještě méně. Samsung chce vedle tohoto 512GB čipu představit i 128GB variantu. V druhé polovině letošního roku by se měly eUFS 3.0 paměti představit i s kapacitou 256 GB a 1 TB.
