Samsung za použití 0.15 mikronového výrobního procesu rozjíždí hromadnou výrobu 128 Mb a 256 Mb DDR (double-data-rate) DRAM paměťových čipů (umožní datový tok až 333 Mb/s). Přičemž vzorky obou (jak 128, tak 256 Mb čipů) jsou již k dispozici....