Samsung uvádí 50nm flash NAND paměti

Společnost Samsung začala dodávat vzorky pamětí NAND, které jsou vyráběny 50nm technologií a disponují kapacitou 16Gbit (tedy 2GB). Tyto vzorky paměti jsou typu MLC (Multi-Level Cell) s velikostí stránky 4kB. To by mělo podle výrobce zajistit rychlejší zápis i čtení.



Samsung tvrdí, že zvětšení stránky z typických 2kB na 4kB zvýší rychlost čtení na dvojnásobek. Zápis by se dokonce měl zrychlit o 150%. Tyto paměti by se měly využít zejména ve flash solid state pevných discích, u kterých se předpokládá, že alespoň v mobilní sféře vytlačí klasické pevné disky. Masová produkce by měla začít již toto čtvrtletí.

Zdroj: www.samsung.com, www.digitimes.com