Samsung uvedl 60nm 2Gb OneNAND flash paměť
30.6.2006, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung po čtyřech měsících od představení 70nm flash pamětí opět vylepšuje výrobní proces. Přechází na 60nm technologii výroby. Prvním produktem je 2Gb OneNAND flash čip. OneNAND je kombinace rychlého čtení NOR pamětí a vysoké...
Společnost Samsung po čtyřech měsících od představení 70nm flash pamětí opět vylepšuje výrobní proces. Přechází na 60nm technologii výroby. Prvním produktem je 2Gb OneNAND flash čip. OneNAND je kombinace rychlého čtení NOR pamětí a vysoké kapacity a rychlého zápisu NAND pamětí.
Výsledkem je maximální čtení rychlostí 108MB/s, zápis pak může činit maximálně 17MB/s. To je podstatně více než 9,3MB/s u 70nm flash pamětí. Je to umožněno díky vyšší hustotě, zatímco 70nm umožnilo vyrobit 1Gb čip, 60nm už umožňuje bez větších problémů vyrábět i 2Gb čipy.
Když se osm těchto nových čipů zkombinuje, je možno dosáhnout rychlosti zápisu až 136MB/s. Své využití má najít v multimediálních mobilních telefonech, digitálních fotoaparátech a kamerách, paměťových kartách i digitálních televizích.
Zdroj: www.vnunet.com
Výsledkem je maximální čtení rychlostí 108MB/s, zápis pak může činit maximálně 17MB/s. To je podstatně více než 9,3MB/s u 70nm flash pamětí. Je to umožněno díky vyšší hustotě, zatímco 70nm umožnilo vyrobit 1Gb čip, 60nm už umožňuje bez větších problémů vyrábět i 2Gb čipy.
Když se osm těchto nových čipů zkombinuje, je možno dosáhnout rychlosti zápisu až 136MB/s. Své využití má najít v multimediálních mobilních telefonech, digitálních fotoaparátech a kamerách, paměťových kartách i digitálních televizích.
Zdroj: www.vnunet.com
