Samsung vypustil do světa 6. generaci 3D V-NAND s 1xx vrstvami

My už jsme si zvykli, že výrobci pamětí neudávají přesné rozlišení výrobních technologií, jimiž tvoří své paměti, takže namísto například 16nm či 19nm prostě mluví o 1Xnm, do čehož se dá schovat cokoliv od 10 po 19 nm. Nicméně to je pochopitelné vzhledem k tomu, že dnes už dávno na tomto označení tolik nezáleží a zkrátka v případě různých procesů není nanometr jako nanometr. 

 

 

Ovšem Samsung začal podobný styl označení využívat i pro počet vrstev, takže namísto páté generace V-NAND, která by měla mít 96 vrstev, tu máme 9x vrstev a zbrusu nové V-NAND šesté generace mají 1xx vrstev, přičemž to by mělo být přesně 128. Není zrovna jasné, proč Samsung neudává přesné počty, však v tomto případě jde vždy o exaktní počty, na nichž nemůže být nic nejasného nebo zavádějícího.

 

My se k tomu z těla zprávy dozvíme to, že 6. generace V-NAND nabídne přibližně o 40 % více buněk, čemuž by 128 víceméně odpovídalo, ovšem Samsung zmiňuje 136 vrstev, ovšem ty všechny nemusí obsahovat paměťové buňky.

 

Ať je ovšem počet vrstev jakýkoliv, nové paměti jsou stejně jako v případě 5. generace typu V-NAND TLC a mají stále stejnou kapacitu 256 Gb. Ta tedy zůstala nezměněna, ovšem vyšším počtem vrstev muselo být logicky docíleno toho, že výsledné paměti budou výrazně menší a z jednoho waferu se jich tak získá víc. Výrobce by si tak měl polepšit s ohledem na náklady a to by snad mohl pocítit i zákazník. Následovat ale mají i 512Gb paměti chystané ještě na tento rok.  

 

Samsung se také dle vlastních slov musel potýkat s dopady růstu pamětí do výšky, což způsobuje, že výše umístěné paměťové CTF buňky mají větší zpoždění při čtení a přenosy dat jsou chybovější. Firma tak využila jistý nový design, o kterém se nic nedozvíme, ale jeho výsledkem mají být latence 450 μs při zápisu a 45 μs při čtení, což představuje 10% zlepšení oproti předchozí generaci při 15% snížení spotřeby. A především to umožní dále pokračovat s navyšováním vrstev i nad 300. 

 

Zdroj: TZ Samsung