Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně
21.2.2011, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung vyrobila pomocí 50nm technologie nové 1Gb paměťové moduly Wide I/O DRAM, které dosahují propustnosti 12,8 GB/s, což je osmkrát více v porovnání s běžnými mobilními DRAM (1,6 GB/s) a čtyřikrát více, než mají LPDDR2 DRAM...
 
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.