Samsung začal s masovou produkcí rychlých 8GB pamětí HBM2

Když jsme se bavili o pamětech HBM2 ještě spíše v hypotetické rovině, uvažovali jsme o nich jako o generaci, která nabídne oproti HBM1 dvojnásobnou propustnost bez citelného omezení kapacity. První generace přitom měla propustnost 1 Gb/s na pin, což na kartách AMD s 4096bitovým rozhraním činilo celkových 512 GB/s. HBM2 to měly zvednout na 2 Gb/s na pin, takže se očekával plný 1 TB/s, ale skutečnost je značně odlišná. Nové karty AMD především využívají ne čtyři, ale dvě paměti, takže i sběrnice má poloviční šířku a výrobci navíc nedokázali nabídnout 2Gb/s verze. V jejich roadmapách byly 1,6 a 2 Gb/s paměti HBM2, což skončilo někde mezi, a tak taková RX Vega 64 má HBM2 s 1,89 Gb/s na pin, což na 2048bitovém rozhraní činí 484 GB/s, čili dokonce méně než Fiji s první generací HBM. 

 

 

Je tak dobrá zpráva, že Samsung už konečně dokázal pokročit a do běžné výroby dostat dokonce 2,4 Gb/s paměti HBM2, které mají navíc v jednom pouzdře kapacitu 8 GB. Pokud by se taková paměť využila třeba v procesoru Core i7-8809G vybaveným GPU Vega a právě HBM2, poskytla by vedle uvedené kapacity propustnost 307 GB/s, což je o cca 50 GB/s více, než má k dispozici desktopový Radeon RX 580. Takovou propustnosti by ale GPU ve zmíněném procesoru ani nedokázalo využít. Vedle čipu GDDR6, jenž má časem dosáhnout na 16 Gb/s na pin, jsou to nesrovnatelné vlastnosti, neboť takový dokáže nabídnout sám o sobě propustnost jen 64 GB/s a také jen zlomek kapacity. 

 

Je ale zřejmé, že nové paměti Samsungu do běžných produktů (alespoň zatím) nezamíří a spíše půjde o paměti pro hi-endové akcelerátory typu TESLA nebo Radeon Instinct, popřípadě pak produkty Intelu jako FPGA Stratix.  

 

Samsung nové paměti označuje jako Aquabolt, což je druhá generace HBM2 po první, které zase říká Flarebolt. Pro navýšení výkonu využil nové technologie týkající se řešení tepelných ztrát a také nový design TSV (Through-Silicion Via), čili vertikálních spojů mezi jednotlivými vrstvami. Jedna 8GB HBM2 obsahuje celkem osm 8Gb paměťových vrstev propojených pomocí více než pěti tisíc TSV na jednu vrstvu. Takové množství TSV může vyvolávat problémy týkající se tzv. collateral clock skew, čili toho, že signál z jednoho zdroje je na různých místech přijat v odlišných časech, což v synchronizovaných počítačových systémech není zrovna vhodné. Cílem tak bylo minimalizovat tento časový rozdíl, což se Samsungu podařilo, a především díky tomu mohl navýšit propustnost na pin. 

 

Pro lepší chlazení navrstvených čipů pak bylo využito více tepelných můstků mezi nimi a nakonec můžeme zmínit novou ochrannou vrstvu, která umístěna až dole zpevňuje celé pouzdro. My tak můžeme už jen čekat na to, až se objeví první produkty s těmito paměťmi. 

 

Zdroj: techPowerUp