Samsung začal s výrobou pomocí 7nm LPP obohaceného o EUV

Samsung a EUV tak mělo být téma pro příští rok, ale to už neplatí. Samotná firma nás nyní informuje, že už začala zpracovávat wafery pomocí 7nm procesu LPP (Low Power Plus), který využívá rovněž technologii EUV (extrémní ultrafialová litografie). Firma tak uvádí, že tento krok dokládá její schopnosti vyvinout pokročilé výrobní procesy na cestě k 3nm procesu, kterou sama nyní vidí jako jistou. Pomocí tohoto procesu přitom mohou být vyráběny vysoce výkonné čipy pro 5G sítě, umělou inteligenci, datová centra, IoT, automotiv a počítačové sítě obecně. 

 

 

Tento rok tak můžeme vidět jako revoluční, kdy se EUV konečně dostane do praxe, ovšem není pochyb o tom, že nástup této technologie bude postupný. I TSMC se už na EUV chystá a uvádí, že nejdříve se využije pro tvorbu několika málo méně důležitých vrstev čipů a postupně se bude rozšiřovat. Není důvod si myslet, že by to v Samsungu mělo být jiné. 

 

Samsung si od nasazení EUV slibuje, že výroba čipů bude rychlejší, neboť jak dobře víme, bude se moci redukovat a časem až zcela eliminovat technika multi-patterning, kde se musí využívat více masek i fází osvětlování waferů. Vedle toho Samsung očekává také vyšší výtěžnost, a tak i celkově vyšší kapacitu výroby. Ještě letos v zimě se ale mluvilo o velkých problémech s nasazením EUV a dle informací TSMC zbývá vyřešit přinejmenším to, z čeho by šlo vytvořit blánu chránící ozařované wafery. Ta musí být z materiálu, který nebude pohlcovat (nebo jen málo) EUV záření, jež je však pohlcováno v podstatě vším včetně vzduchu. 

 

Výhoda EUV je v tom, že využívá světlo o vlnové délce jen 13,5 nm oproti klasickým ArF (argon-fluorid) technologiím s délkou 193 nm. Může se tak pracovat s daleko většími detaily a tam, kde je třeba sada čtyř multi-patterningových masek pro ArF, si technologie EUV vystačí s jednou. Tím je jednak výroba logicky rychlejší, potenciálně levnější a také dává menší prostor pro defekty, což odpovídá tomu, co o EUV prohlašuje Samsung výše. 

 

Co se týče aktuální 7nm technologie s EUV, ta má oproti srovnatelné technologie nevyužívající EUV o pětinu nižší počet nutných masek a proporčně se tak i zkrátí doba výroby a dolů mají jít také náklady. Máme tu i srovnání 7LPP s EUV a předchozí 10nm technologie, oproti níž se má dosáhnout vedle vyšší výtěžnosti také 40% zvýšení hustoty uložení tranzistorů, které mohou mít až o 20 % vyšší výkon, nebo o 50% nižší spotřebu. 

 

Nakonec Samsung prohlásil, že do roku 2020 výrazně rozšíří své výrobní kapacity využívající EUV a také že má už vyvinuty potřebné podpůrné nástroje, jako je například ten, který kontroluje EUV masky a hledá případné defekty, aby mohly být odstraněny co nejdříve v produkčním cyklu. 

 

Zdroj: TZ Samsung