Samsung začal vyrábět 2Gb čipy DDR3 40nm procesem
23.7.2009, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung ve středu oznámila, že začala produkovat paměťové čipy typu DDR3 o kapacitě 2Gb svým 40nm výrobním procesem. Ten by měl zajistit především levnější výrobu, ale pravděpodobně také vyšší výkon nových modulů. Zajištěn je...
Společnost Samsung ve středu oznámila, že začala produkovat paměťové čipy typu DDR3 o kapacitě 2Gb svým 40nm výrobním procesem. Ten by měl zajistit především levnější výrobu, ale pravděpodobně také vyšší výkon nových modulů.
Zajištěn je běh na 1,6 GHz při napětí 1,35 V a také šedesátiprocentní nárůst produktivity oproti 50nm procesu. Čipy se využijí pro 2GB a 4GB moduly určené pro desktopy, notebooky a pracovní stanice, ovšem vedle toho půjdou také do 16GB, 8GB a 4GB modulů RDIMM pro servery.
Dle firmy iSuppli zabývající se výzkumem trhu mají nové 2Gb DDR3 zabrat na trhu s DDR3 paměťmi do roku 2012 již 82procentní podíl, a stát se tak hlavním produktem v této oblasti. Jejich rozšíření se však očekává již v příštím roce.
Zdroj: X-bit labs
Zajištěn je běh na 1,6 GHz při napětí 1,35 V a také šedesátiprocentní nárůst produktivity oproti 50nm procesu. Čipy se využijí pro 2GB a 4GB moduly určené pro desktopy, notebooky a pracovní stanice, ovšem vedle toho půjdou také do 16GB, 8GB a 4GB modulů RDIMM pro servery.
Dle firmy iSuppli zabývající se výzkumem trhu mají nové 2Gb DDR3 zabrat na trhu s DDR3 paměťmi do roku 2012 již 82procentní podíl, a stát se tak hlavním produktem v této oblasti. Jejich rozšíření se však očekává již v příštím roce.
Zdroj: X-bit labs
