Samsung začal vyrábět dokonce 18 Gb/s paměti GDDR6

Výrobu pamětí GDDR6 už tedy ohlásil Micron a samotný Samsung uvedl, že už vyrábí rychlé paměti HBM2. Tím nemyslíme dosud používané HBM2 s rychlostmi pod 2 Gb/s na pin, ale vysokorychlostní 2,4Gb/s HBM2. Nyní se k tomu přidávají dokonce 18Gb/s paměti GDDR6, které by mohly podstatně zvýšit výkon grafických karet, i když to samozřejmě nezáleží pouze na nich. 

 

 

Především jde ale o paměti, které mohou nahradit dnes stále drahé a velice problematické paměti HBM2 vyžadující složitou implementaci hned vedle GPU. GDDR6 se využijí stejným způsobem jako předchozí verze, takže jde o prostá BGA pouzdra pro připájení na PCB karty. 

 

Nicméně ani nové HBM2 na 2,4 Gb/s nejsou vůbec k zahození, však pouhé jedno pouzdro může nabídnout kapacitu 8 GB a propustnost 307 GB/s při pouze 1,2V napájení. Při využití technologie EMIB by to ve výsledku už nemuselo být tak drahé a složité, ale to ukáže až čas, zatímco paměti typu GDDR jsou léty prověřené. 

 

Propustnost 18 Gb/s znamená, že jedno paměťové pouzdro nabídne 72 GB/s a na prostém 256bitovém rozhraní karty vyšší střední třídy by to znamenalo celkovou propustnost 576 GB/s. To už je zcela srovnatelné s tím, co předvádějí dnešní HBM2 a jen o trošku horší než zbrusu nový typ HBM2 od Samsungu komunikující na 2048bitovém rozhraní. 

 

Nové GDDR6 od Samsungu jsou tvořeny 10nm procesem a přicházejí s paměťovou hustotou 16 Gb na čip, což je slušný pokrok oproti předchozím 20nm pamětem s 8 Gb. Díky pokročilému výrobnímu procesu má také Samsung dosáhnout vyšší produktivity výroby o 30 procent, což je skvělá zpráva vzhledem k dostupnosti, ovšem pak je tu ještě otázka výtěžnosti. Další pokrok byl dosažen i s ohledem na spotřebu, která se snížila díky poklesu napájecího napětí z 1,55 V na 1,35 V, díky čemuž bude moci jít více energie z celkového TBP do GPU. 

 

Z hlediska pamětí pro grafické karty to tak vypadá velice dobře, ale obavy můžeme mít spíše o to, jak to bude s jejich celkovou dostupností. 

 

Zdroj: HotHardware