Samsung zahájil výrobu 1Tbit TLC V-NAND pamětí 8. generace
14.11.2022, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung oznámila, že zahájila velkosériovou výrobu pamětí V-NAND 8. generace. Ta přináší zvýšenou kapacitu čipů na 1 Tbit a vedle toho se také opět zvyšuje rychlost, což by mělo najít využití i u SSD s rozhraním PCIe 5.0.
Rychlost SSD se stále zvyšuje zejména díky pokrokům v oblasti technologií paměťových čipů. Samsung je jedním z předních výrobců čipů V-NAND pro SSD a před několika dny uvedl 8. generaci těchto pamětí. V jeho případě přišel s obří kapacitou 1 Tbit ve verzi TLC. Díky tomu by mělo být možné dále navyšovat kapacitu SSD a jiných úložišť při stejné velikosti (resp. počtu paměťových čipů).
Využilo se zde rozhraní Toggle DDR 5.0, což zvyšuje přenosovou rychlost až na 2,4 Gbit/s. Proti předchozí sedmé generaci to sice není extrémně vysoký skok (o 20 % z 2,0 Gbit/s), ale i to se počítá. Čipy snadno dosáhnou rychlosti použitelné pro nejrychlejší SSD s rozhraním PCIe 4.0 a později mají stačit i pro nové verze s PCIe 5.0. Využití se plánuje zejména v serverech nebo automotive, kde je důležitá i vysoká spolehlivost.
Zdroj: samsung.com
