Samsung zdvojnásobuje paměťovou kapacitu DDR3 čipů
30.1.2009, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung oznámila, že navýšila paměťovou kapacitu čipů typu DDR3 na 4 Gb, k čemuž využila 50nm výrobní proces. Díky tomu bychom se mohli brzy dočkat zlevnění těchto pamětí, avšak Samsugn spíše plánuje jejich využití u "zelených"...
Společnost Samsung oznámila, že navýšila paměťovou kapacitu čipů typu DDR3 na 4 Gb, k čemuž využila 50nm výrobní proces. Díky tomu bychom se mohli brzy dočkat zlevnění těchto pamětí, avšak Samsugn spíše plánuje jejich využití u "zelených" serverů, kde vysoká paměťová hustota společně s nízkou spotřebou bude znát.
Díky novým 4Gb čipům budou firmy moci vyrábět 16GB dual in-line RDIMM moduly pro servery a také 8GB DIMM pro pracovní stanice a desktopová PC. Notebooky se ale také dočkají s 8 GB SODIMM moduly. Dual-die package pak dovolí výrobu až 32GB modulů.
Čipy dále pracují s napětím 1,35 V, což je o 20 procent méně než klasické DDR3. Maximální propustnost činí 1,6 Gb/s. Nyní tedy Samsung dokáže vyrábět DDR3 čipy v kapacitách 4 Gb, 2 Gb a 1 Gb.
Zdroj: TZ Samsung
Díky novým 4Gb čipům budou firmy moci vyrábět 16GB dual in-line RDIMM moduly pro servery a také 8GB DIMM pro pracovní stanice a desktopová PC. Notebooky se ale také dočkají s 8 GB SODIMM moduly. Dual-die package pak dovolí výrobu až 32GB modulů.
Čipy dále pracují s napětím 1,35 V, což je o 20 procent méně než klasické DDR3. Maximální propustnost činí 1,6 Gb/s. Nyní tedy Samsung dokáže vyrábět DDR3 čipy v kapacitách 4 Gb, 2 Gb a 1 Gb.
Zdroj: TZ Samsung
